Главная Промышленная автоматика.

анх,аВ

- 2 -It -6

а 6 ч

Рис. 2.9 а. Зависимость коэффициента неравномерности АЧХ от частоты входного сигнала для ИМС К174УН7

Кг/о

Рис. 2.9 б. Зависимость коэффициента гармо ник от выходной мощности

Ршс 2.9 в. Зависимость коэффици-еига гармоник от частоты входного сигнала в типовой схеме включения ИМС К174УН7

На выводы 5; 6; 12 запрещено подавать постоянное напряжение от внешнего источника. Не допускается применять ИМС без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. ЙМС устойчиво работает от "источника сигнала с внутренним сопротивлением не более 15 кОм.

ИМС К174УН8 (рис. 2.10) представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 2 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом.

Входной каскад усилителя построен по дифференциальной схеме на транзисторах VT3, VT5. Смещение на базу транзистора подается, через резистор R3. Транзисторы VT1, VT2 обеспечивают температурную стабилизацию напряжения смещения. Выходной сигнал дифференциального кас-

када через транзистор VT6, в колла торную цепь которого включена те мостабилизированная нагрузка, bi полненная на транзисторах VT7, V и резисторе R8, поступает в каск( на составном транзисторе VT8VTI0.

Двухтактный выходной каскад Bii полнен на составных транзистор VT14VT15 VT11VT12VT16, вкпюче! ных по схеме эмиттерных повтори лей. Начальное смещение в вых ном каскаде определяется падени< напряжения на резисторе R10. Отф дательная обратная связь с Bbixjj усилителя через резистор R14 на 1! зу транзистора VT5 уменьшает нел нейные искажения, связанные "ступенькой" в выходном сигнале.

Допускается включение нагру31? относительно общего провода так, показано на рис. 2.10 г.

Регулировать коэффициент усил

Воу1шда5а5ка


Рис. 2.10 а. Принципиальная схема ИМС К174УН8

Установка тока покоя

Одратная сВязь -

Вход -

------\J-

1 S

2 а

3 3

ктна

» 7

S S

общий Выход

ВольтдоЬабка

Рис. 2.10 б. Располо- жение и назначение выво дов ИМС К174УН8

+ Г2в

05щий

soomk x т

Вход

сг 50ш*т

НЬг-CZ}-R11,ак

1ик x т

ГА1 ктуна

8 юоомючба кг

ZOOmxie JjMK

Рис. 2.10 в. Типовая схема Включения ИМС К174УИ8 *12B С1 50ык*т


Btixd

WOOMK x 16В j+ CS

гаомк * 166

Рис. 2.10 г. Схема включения ИМ,С К174УЩ с мзвмленной нагрузкой г00мк*16& ,



ния на низких частотах можно изме-, пением емкости конденсаторов С2, С5, а во всей полосе пропускания -изменением глубины ООС резистором R1 и конденсатором С 2 (см. рис. 2.10 в, г).

Электрические парамегры ИМС К174УН8 при 25±10°С и t/„M=»2 В.

Ток потреб(1ения мА, при

не более........,...........i...................................................15

Коэффициент усиления по напряжению

при /=1 кГц.................................................4..:40

Нестабильность коэффициента усиления по напряжению ЛЛ[,, %, не более.....................,.........................................................±20

Коэффициент гармоник К, %, при

/=1 кГц и выходной MOUSIOCTH

2 Вт, не более.................„..........................................2

Входное сопротивление R, кОм, при

/=1 кГи, не менее...................................................10

Полоса воспроизводимых частот Д/,

кГц...................................................................„....0,03...20

Выходная мо1цность Р, Вт, при

/=1, кГц и %....................................................2

КПД, %, йри /=1 кГц и Р„„=2 Вт.....................50

Предельные эксплуатационные параметры микросхемы К174УН8

Напряжение питания U, В, не

более............................................................................13,2

Максимальная выходная мощность

вых та

Вт, при /=1 кГц и

..2,5

А=10 %.........

Амплитудное значение тока в нагрузке

/цд, мА не более.................................................1090

Температура кристалла, °С, не

более...........................„............................................+125

Тепловое сопротивление на границе

кристалл-окружаюи среда, °С/Вт, ,

не более.....................,................................................135

Тепловое сопротивление на границе

кристалл-корпус, °С/Вт, не более......................60

ИМС , К174УН9А, К174УН9Б, К174УН9В (рис. 2.11) представляют собой усилители мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 5 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом.

Входной каскад усилителя построен на составном транзисторе VTJVT2, нагрузкой которого является транзистор VT3, включенный как генератор тока. Усилитель напряжения выполнен на транзисторе VT8, в качестве коллекторной нагрузки которого включен VTll как генератор тока и термостабилизирующий VT12 в диодном включении.

В двухтактном выходном каскаде используются транзисторы VT23, VT25, образующие одно плечо, а VT13, VT26 - другое.

Стабилизатор устанавливает на выходе микросхемы постоянное напряжение, равное половине напряжения питания в диапазоне от 6 до 18 В. При коротком замыкании усилителя устройство защиты фиксирует ток выходного каскада на уровне 0,5 А. При нарушении теплового контакта между теплоотводом микросхемы и внешним резистором устройство тепловой защиты отключает предварительный усилитель.

Микросхема имеет встроенное устройство стабилизации тока покоя транзисторов выходного каскада, что обеспечивает высокую временную и •температурную стабильность выходных параметров усилителя. Имеются также устройства защиты выходных транзисторов от короткого замыкания и защиты кристалла от термоперегрева, чем обеспечивается долговременная И высоконадежная работа ИМС. Хотя ИМС имеет внутренние, узлы защиты от электрических тепловых перегрузок, при построение конкретных УЗЧ на основе ИМС К174УН9 необходимо ограничить ток* нагрузки значением 1,8 А. Если* мощность, отдаваемая в нагрузку,; превышает 300 мВт, ИМС следует снабдить дополнительным теплооттзо-дом с эффективной поверхностью не менее 30 см.

В зависимости от коэффициента гармоник И полосы пропускания ИМС К174УН9 подразделяются на группы А, Б и В.

Допускается эксгшуатация при напряжении nHTtWijuge 18 В. При

[ho3

1.ррреиция

VT1 J

VT11

3.Sk

560 1

УГ10

1 R2

J 120

UO .

г "1

3k 4-

RW 500

vrij

R11 35k

VT17

Вольтдобадка " - Ч

VT21

ч-г Л Ria L 500 I

R12 300

УТ16

R1i 22k

VT22

R1S г,5к

VT18

R15 7,5k

VT2S

Выход

4Sh.

утго

Общий . -»- s

Рис. 2.11 a. Принципиальная схема ИМС К174УН9

-U" -

1 12

- Выход

2 11

3 10

- Овщий , ,

К17ЧУН9

Рис. 2.11 б. Расположение и назначениие

В>ольтдо5а8ка -

Ч- 3

Одщий ИМС К174УН9

Коррекция -

S а

- Вход

Обратная связь-

6 7

- Фильтр

С5 ЮОмк*25В

ОВщий о,1мк

Вход ,,С2 1мк

R1 130к

Ml ктунд

ли

CS 100мк*15В +1° Выход

6 ЮОмк У-ЗВ

т Ьт"т

I у то 0

ЮОмк *15В

С7 510

1000MKX1SB

ф С9 1мк

РИС. 2.Ц 8., Шoщx]щ:mpiЩ WMC ЩШЦ ,

Л1 . ЛС




10 14 1в и,.п,В

Рис. 2.12 а. Зависимость тока потребления от напряжения гатгания для ИМС К174УН9


6 в 10 К П IS Id м.в>в

Рис. 2.12 б. Зависимость выходной мощности дм ИМС К174УН9 от напряжения питания

50 40 30 20 10

2 6 PSbfir

Рис. 2.12 в. Зависимость КПД от выходной мощности при различных значениях сопротивления нагрузки для ИМС К174УН9 ,


Рис. 2.12 г. Зависимость мощности, рассе емой микросхемой, от выходной мощности п различных значениях сопротивления нагру дм ИМС К174УН9

Кг, "/о

Rh=4 0m

1 2 3 4 SPe,„,B

Рис. 2.12 д. Зависимость . коэффициента га МОНИК от выходной мощности для И К174УН9 i

понижении напряжения питания 5,4 В соответственно снижается потребляемый микросхемой, и ходная мощность (см. рис. 2.12 а. Зависимости основных парамет ИМС от режимов эксплуатации п ведены на рис. 2.12.

Электрические параметры ИМС К174УН9А. прн 25±i(fC и У»,л,ом"*

Ток.потребления мА, при U=0, j ие более

ИМС К174УН9А,Б.....................................

ИМС К174УН9В............................

. /; мВ, при вы-Входное напряжение

ходной mouwoctmJW ••


Рис. 2.13 а. Структурная схема ИМС К174УН1в

Предельные эксплуатационные ткршяетткы ИМС К174УН9А,Б,В

оэффициент гармоник %, не бо- f =150°С - максимальная тем-

лее, при/=1 кги н цература кристалла принята условно, ?•

вых=Р05-5 Вт (ИМС К174УН9А).....................1 „„„ которой гарантируется надежная ;

Яз,„=о,а5..:5 Вт (ИМС К174УН9Б).....................2 работа ИМС; /г=12°С/Вт - тепловоз

вьк=0 "- Вт сопротивление на границе кристалл-

(ИМС К174УН9В)....................................................10 кОрпуС.

апряжение шумов U, мВ, иа выхо- иМС К174УН10 (рис. 2.13) прсд-де при сопротивлении генератора ставляет собой двухканальный усили-50 кОм (ИМС К174УН9ЛБ). не бо- тель С электронной регулировкой час-лее..................................................................................1.5 тотной характеристики и предназна-

олоса воспроизводимых частот д/, сн ДЛЯ построения двухканального

кГц регулятора тембра. В состав ИМС-

ИМС К174УН9А...................................0.04...20 входят четыре усилителя А1...А4, уп-

имс К174УН9БЗ...............................о,04...1б равляемых напряжением и два пре-

ходное сопротимение л„, кОм, при образователя напряжения UI, U2. Ос-.

/=1 "ГЦ.......................................................................100 новой собственно регулятора cлyжиf

каскадный усилитель (схема перемйо-жителя Джильберта). Эта схема о6-печивает электронную регулировку частотной характеристики. Второй каскад выполнен на основе дифференциального усилителя. На входе регулятора установлены два последоба-тельно включенных эмиттерных по-в*орителя.

Преобразовате;й> напряжения

и 1(1/2) полнен по схеме диффе-ренциалыкмх} усилителя на транзисторах VTL..VT6. Электронная регулировка частотной характеристики осуществляется аналсиовым перемножителем, выполненным на основе счетверенного дифференциальпс» каскада с перекрестными свяюми на транзисторах VT8, VT9 (VTS4, VT3S) и VTJ2, VT13 {VT39, VT40). Сигнал с выхода аналогового перемножителя поступает на инвертирующий вход

апряжение питания U„ , В, при

..24

t/j,=0, не более..............................................

аксимальная выходная мощность вькто. Вт, при Х-10 %, не более

ИМС К174УН9А,Б...........................................7

ИМС К174УН9В............................................4.5

При температуре корпуса ИМС бо-ее 55С максимальную рассеиваемую ощность рассчитывают по

рмуле:

р кр max ki

расе max о

22

150-<к, 12

- температура корпуса мик-Осхемы, измеренная на теплоотводе Мс. У основания корпуса;

Зцк. 926





0 1 2 3 [4] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

0.0041