Главная Промышленная автоматика.

Таблица 4.S\

Микросхем*

Номинальное напряжение питания, В

Рабочий диалазом температур, °С

Гарантированная наработка микросхемы на отказ, ч

Гарантированный срок хранения, лет

Количество элементов

Номер чертежа корпуса

К525ПС1А,Б

±15+0,75

-10...+70

10 ООО

К525ПС2А,Б

±15 + 1,5

-10.,.+70

10 ООО


Рис. 4.47 а. Принципиальная схема ИМС К525ПС1А,Б

Выход инВертируюиий Установпа тока у-конала Нвиндертирующий 8ход у-канала Релутравнр. уси/юния 1у-тнапо. -4

4 g

РегулироВна усиления Zу-нанала - 6 9

14 13

3 % 12

Выход неинвертирующий

Установка тока х-канала

• Инвертируюш,ий вход х- канала

Регулировка усиления 1 х -канала

• Регулировка усиления2 х-канала

• Неинвертируюиий вход х-канала

• Инвертируюиий вход у-канало

Рис. 4.47 б. Назначение выводов ИМС К525ПС1А,Б

мировать сигнал по этому входу. Для этого в перемножитель введен дифференциальный каскад лсмарифмиро-вания на транзисторах УТ1, VT3, VT6, VT8 С нагрузкой на "транзисторах VT2 и VT5, который преобразует входное напряжение в токи с помощью резистора Ry, включенного между выводами 5 и 6. Начальный ток дифференциальных усилителей определяется генераторами токов на

транзисторах VT4, VT7, VT9 и VI VT15, VT18 И нормируется с мощью резисторов, включаемых м< ду выводами 3, J3 и общим про дом.

Типовое включение ИМС в качв ве аналогового перемножителя noi зано на рис. 4.47 в и позволяет oi ществить четырехквадрантное пе множение входных аналоговых си лов с уровнем до +-10 Б прч ампл

игох и Юн \3н,5н \\гн П

\R12 2к

V-4 г Y F

11 Шl<}

Rll MAI HSZSnCI и

Рис- 4.47 в. Типовая схема включения ИМС К525ПС1

*1?.бВ


Х DA2

К/40УД7

Рис. 4.47 г. Схема аналогового перемножителя на ИМС К525ПС1 со смещением уровня туде выходного сигнала ±10 В. На рис. 4.47 г показана схема аналогового перемножителя, снабженного узлом смещения уровня, выполненного на ОУ К140УД7, который реализует передаточную функцию £/2=i/;tt/y/10.

Остаточное напряжение V, мВ, не более:

по входу X К525ПС1А.................................50

по входу X К525ПС1Б.................................80

по входу У К525ПС1А...............................100

по входу У К525ПС1Б...............................140

Напряжение смещения t/„, мВ, по

выходам X, У, не более..

Электрические параметры ИМС К525ПС1 при

25±10°С и и„

= ±15 В

Гок потребления от источника +£/„„ /"•"пот мА, не более:

К525ПС1А.........................................................4,6

К525ПС1Б...........................................................5

Гок потребления от источника -V

/-„ мА, не более.................................................7

Погрещность перемножения г, %, не более:

К525ПС1А............................................................2

К525ПС1Б.............................................................4

.......................... 500

Синфазное напряжение по входам X, Y U. В, не менее:

К525ПС1А.....................................-...............±11.5

1СЯ5ПС1Б....................................................S:10,5

Входной ,W.tBx< п° входам X, Y,

не боле*................................................................8

Разность ]ВХ9диых, урк.оъ Д/, мкА, но

входам ,Х, У, не более........................................... 1

Разность выходных токов Д/ых " не более.............................................................

-.50

Полоса Преобразования Д/, МГц, по входам X. У, не менее:

К525ПС1А..........................................................1,5

К525ПС1Б.........................................................1.1



Коэффициент влияния источников питания на погрешность перемножения вл "е более:

К525ПС1А........................0,1

К525ПС1Б........................0,2

Коэффициент ослабления синфазных напряжений осл.сф "° входам X, У, не менее:

К525ПС1А...........................................................50

К525ПС1Б...........................................................40

Выходное напряжение. Итах-менее:

К525ПС1А....................................................±12,5

К525ПС1Б....................................................±10,5

Входное сопротивление R МОм, по

входам X, ле-менее»»...................................... 35

Выходное сопротивление Л, кОм, не

менее.............................................................................50

Нелинейность перемножения N, %, не более:

К525ПС1А.............................................................2

К525ПС1Б.............................................................4

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К525ПС1

Напряжение питания. В:

.....+6...48

..-6...-15

ИМС К525ПС2А, К525ПС2Б

(рис. 4.48) представляют собой четы-рехквадрантный аналоговый перемножитель (АП) сигналов с операционным усилителем на выходе. Умножение осуществляет счетверенный дифференциальный каскад на транзисторах УГ9, VT12, VT13, КГ/*. Перекрестные связи коллекторов этих транзисторов обеспечивают инверсию сигналов, необходимую для четырех-квадрантного умножения. Входные каскады на транзисторах УГ2н VT5 и VTJO, VT14 преобразуют напряжения VI ъ токи. Узел смещения

уровня выполнен на операционном усилителе на транзисторах

VT17...VT27.

Примеры построения узлов на базе ИМС К525ПС2 приведены на рис. 4.49.

Электрические параметры ИМС К525ПС2 при

25±10°С и и,.

= ±15 В

Ток потребления от источника питания пот "е более:

К525ПС2А..............................................

К525ПС2Б..

Погрешность перемножения Лпер "" не более:

К525ПС2А........................................*...............±1

К525ПС2Б.........................................................±2

Нелинейность перемножения JVp, %,

не более:

по входу X К525ПС2А..

........±0,8

по входу X К525ПС2Б...............................±1

по входу У К525ПС2А............................±0,5

по входу У К525ПС2Б............................±0,7

ост- В, не

...80:

.150 ...601 .1001

Остаточное напряжение более:

по входу ХК525ПС2А......

по входу X К525ПС2Б......

по входу У К525ПС2А,.....

по входу У К525ПС2Б......

Входной ток 1, мкА, не более:

по входу X.............................

по входу У..........................................................6

Полоса преобразования Д/, МГц, по

входам, X, У, не менее....................................... 0,7

Коэффициент влияния источников питания на погрешность перемножения К, %, не более:

К525ПС2А..........................................................0,<

К525ПС2Б..........................................................0,1

Выходное напряжение В, не

менее.......................................................................±10,

+ иип

Рис. 4.48 а. Функциональная схема ИМС К525ПС2А,Б


-Рис. Щ б. Принципиальная схема ИМС К525ПС2А,Б

Bxodz Выход - -Una

Входх

J 72

S 9 7 8

/4\-+и,,„ fJ - Вход у

- Смещение Уа Смещение Zg

- Одш, ий Смещение Хц

1Чс. 4.48 в. Назначение выводов ИМС К525ПС2А,Б

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К525ПС2

Напряжение питания, В:

..........................................+13,5...+16,5

~.п................................................-15,5...-13,5

ЗДК R4 Мт525ПСгА,Б

,-15в

, ,3 -Ш Ш

Рис. 4.49 а. Схема умножения на ИМС К525ПС2 RlZZH

+158-

-108sZ10B-

ЗЩК R3

\2 Г

Рис. 4.49 б. Схема деления на ИМС К525ПС2



R3 22H

R4Z2H -СИ-

ВА1Н525ПСгА

5.1и1Э 7,5к

RI RZ

•8ых

Рис. 4.49 в. Схема извлечения квадратного корня на ИМС К525ПС2 R3 22K

+ 15 В

9 *г

15В

3, 2JAff<S25/7C2A, X

S.1i<\l3 R2%5k \10 \I2

Рис. 4.49 г. Схема возведения в квадрат на ИМС К525ПС2

4.6. СЕРИЯ КР1005

ИМС серии КР1005 представляет собой комплект усилителей, предназначенных для бытовой радиоаппаратуры. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоляцией р-п переходом.

Состав серии

КР1005ХА8А,Б - многофункцио-налы1ый универсальный узел системы фазовой автоподстройки частоты с разомкнутой цепью управления генератора управляемого напряжением. Микросхемы выпускаются в прямоугольном полимерном корпусе 2120.24 - 6 с перпендикулярным расположением выводов. Основные эксплуатационные характеристики микросхемы приведены в табл. 4.6.

ИМС KP100SXA8A, KPIOOSXASB (рис. 450) представляют собой узел фазовой автоподстройки частоты и могут найти применение в различных устройствах, где требуется управление частотой. ИМС содержит пере-

множитель U1, операционный ycnJ тель А1 и генератор управляем напряжением G1.

Рис. 4.50 а. КР1005ХА8АБ


схема

Микросхема

Номинальное

Гарантирован-

Гарантиро-

напряжение

Рабочий диапазон

ная наработка

ванный срок

питания. В

температур. °С

микросхемы

хранения,

на отказ, ч

КР1005ХА8АБ

20±2

-25...+70

15 ООО

Номер черп корпуса

Иивертирую1ий Вход ОУ Неинвертирующий Вход О У выход перемнажитепя выгод перемножителя Вход леремножитедя Вход оеремножитепя Вход пере множители Резистор обратной сёязи Резистор аВратной связи Резистор обратной связи Резистор обратной связи.

ОВщий

~v\- Вход ГУН гъ~ Вход ГУН

21 - Выход ГУН

20 - Частатозадающий кондеиеотор 19 - Частдтозаданиций конденсатор IS - Управление ГУН П - Управление ГУН К - Цифровое управление частотой ГУН IS - Цифровое управление частотой Гун - Выход ОУ

Коррекция АЧХ О У

Рис. 4.50 б. Назначение выводов ИМС КР1005ХА8А,Б

режимах приведены

множитель U1, операционный усилитель А1 и генератор управляемый напряжением GI.

Примеры использования ИМС в

различных рис. 4.51.

Зависимости основных парамет ИМС от режимов эксплуатации г ведены на рис. 4.52.

вьшд/л> Выход глг


ПА1 KPfOOSXABA (KPW0JXA86)

Рис. 4.51 а. Применение ИМС КР1005ХА8АБ в режиме генератора функций





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 [31] 32 33 34 35 36 37 38 39 40

0.0034