Главная Промышленная автоматика.

25 23

25 50 t,

OKflCp,

Рис. 4.36 в. Зависимость коэффициента усиления напряжения от температуры окружающей среды при напряжении питания 9 В, входном напряжении 1 мВ, частоте входного сигнала (59 МГЦ, промежуточной частоте 10,7 МГц для ИМС К174ХА15

30 20 10

f5 и.


Рис. 4.36 д. Зависимость тока потребления от температуры окружающей среды при напряжении питания 845; 9; 9,45 В; частоте входного сигнала 69 МГЦ, промежуточной частоте 10,7 МГц для ИМС К174ХА15


15 Uu

Рис. 4.3 е. Зависимость напряжения гетеро- дина от напряжения питания при входном на- пряжении 1 мВ, частоте входного сигналу 69 МГЦ, промежуточной частоте 10,7 МП температуре окружающей среды 25±10°С дл» ИМС К174ХА15

Рис, 4.36 г. Зависимость тока потребления от напряжения питания при частоте входного сигнала 69 МГи, промежуточной частоте 10,7 МГц, температуре окружающей среды 25±10°С дам ИМС К174ХА15

ры R2...R5 служат для точного сопряжения контуров. Основные параметры блока УКВ: промежуточная частота 10,7 МГц, ток потребления (жоло 30 мА, коэффициент шума 6 дБ, усиление мощности 28 д полоса-пропускания по ВЧ - 1,7 МГц, по ПЧ - 0,5 МГц, подавление зеркального канапа 80 дБ, ПЧ - 100 дБ.

Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при-веденА на рцс, 4.36. ..

50 О -50 -100 -150

6 6

Рис.- 4.36 ж. Зависимость изменения частоты гетеродина от напряжения питания при входном напряжении 1 мВ, температуре окружающей среды 25±10°С (А/=Л„ j/-79,7 МГц) для ИМС К174ХА15

J.....

гег/

-250 -200 100

1 2 3 4 5 Ub,.B

Рис. 4.36 3. Зависимость изменею ) частоты [. геродина от входного напряжения 11ри напря-

f25 50 tc


окрср,

Рис. 4.36 и. Зависимость изменения частоп

жении питания 9 В, температуре окружающей гетеродина от температуры окружающей средь 1,еды 25±10°С {M=f~ln МГц) для ИМС при напряжении питания 9 В, входном напря

жении 1 мВ (А/ги.=/гет т Гц)

К174ХА15

16 15

12 \11

К .5 •Э

Рис. 4.37 а. Структурная схема ИМС К174ХА19

Подстройка 5/7ока-

Термоко/у/пенсация Общий

dxoff di/(pepHoao каснада Bxod сопряжений мосгроики

Эмиттер транзистора База транзистора

J 4 s: S- * /2

/о 9

/б I- Выжод мини/бального напряжения /5 - 17odc/r/p aK02°"" ff - Подстроаио 1

fj - выход /дксимального напряжения мостроини

- Bbixod АПЧ

- Вход АПЧ

- Вход (/продляющего напряжений

- Коллектор транзистора




ЮОк -P

R4 j±ri KoffmmУВЧ WOk p-r-r к Шовному контуру УвЧ К контуру смеситепя

TiWOk


квховному сг -ТЗихт

ТонтуруУвЧ ~rSM/(XfSB J

11 ктХА19

R7 f5K

К контуру гетеродина

Рис. 4.37 в. Вшовая схема включения ИМС К174ХА19

Электрические параметры ИМС К174ХА15 при 25+10°С и i/„„=9 В

Ток потребления 1, мА, не более......................30

Коэффшиент усиления по напряжению KJ, дБ, при и=\ мВ, /=69 МГц,

не менее.......................................................................22

Коэффициент шума К, дБ, не

более...............................................................................10

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К174ХА15

В ее состав входят: блок мик мального напряжения настройки элементы термокомпенсации блок максимального напряжен настройки A3, буферный каскад блок АПЧ А5, генератор постоянн< тока А6, блок постоянного управл мого образцового напряжения А7 транзистор VT1 для дополнительн функций.

Напряжение питания i/„„. В: минимальное..

..8,1

максимальное..........:..?f:i.!..."::...................15,6

Ток на выводе 7 мА не боле?..........................5

Частота входного сигнала /, МГц, не

более.............................................................................108

Сопротивление нагрузки R, Ом, не

менее.......................................-..................................50

Г. I

ИМС К174ХА19 ,(ррс. ,4,37) представляет собой многофункциональную схему, предназначенную для формирования стабилизированного управляющего напряжения на!стрОйки и обработки сигналов АПЧ в блоках УКВ радиоприемных устройств.

инаа В

4,93 4,91

4,89 4,87 485

-80 -40 О 40 илпц.мВ

Рис. 4.38 а. Зависимость напряжения стройки от напряжения АПЧ для Ш К174ХА19 при температуре окружающей сре 25±10°С, напряжении питания 9 В, синфазн напряжении 4 В и управляющем напряженй / - 0,6 В; 2 - 0,8 В; i - 1,0 В; 4 - 1,2 J - 0,7 В

7,2 7,0

25 40 5Stgp cp,C

Рис. 4.38 б. Зависимость максимального напряжения настройки от температуры окружающей среды при напряжении питания 9 В, управляющем напряжении 1,2 В, синфг-ном напряжении 4 В для ИМС К174ХА19 /


13 /5 и„„,в

Рис. 4.38 в. Зависимость максимального напряжения настройки от напряжения питания при температуре окружающей среды 25±10°С, синфазном напряжении 4 В, управляющем напряжении 1,2 В дая ИМС К174ХА19

Блетс УКВ на базе ИМС К174ХА19 имеет электронную настройку. Частоту настройки изменяют переменным резистором R2. Подстроечные резисторы КЗ..Я5 служат для точного сопряжения контуров, R9 - для термокомпенсации.

Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации приведены на рис. 4.38.

Электрические параметры ИМС К174ХА19 при 25±10°С и 1/„л= В

Ток потребления 1 мА не более.....................7,5

Напряжение настройки, В:

минимальное I/,, не более...................2,5

максимальное не менее...................6

Коэффициент влияния нестабильности источника питания на напряжение настройки, не более................................5-10"

Максимальный коэффиииент наклона, %, мВ, характеристики АПЧ ЛС при напряжении настройки

минимальном, не менее............................0,06

максимальном, не менее...........................0,05

- 1,84

- 1,ои

>

О 25 45 OOtocp.O

Рис. 4.38 г. Зависимость минимального пряжения настройки от температуры окруя щей среды для ИМС К174ХА19 при напрл НИИ питания 9 В, управляющем напряже 1,2 В, синфазном напряжении 4 В и сопро лении между выводами 75 и i: 7 - 13 к 2 - 15,5 кОм

Rj.,s-13kOm

15,5к\)м


10 12 14 /6 ип.В

Рис. 4.38 д. Зависимость минимального пряжения настройки от напряжения пип дам ИМС К174ХА19 пИ температуре окр) ющей среды 25±10°С, синфазном напряж< 4 В, управляющем напряжении 1,2 В и coi тивлении между выводами 15 w. 3. I - 13 к 2 - 15,5 кОм

Максимальное относительное изменение напряжения настройки, вызванное действием АПЧ при напряжении настройки:

минимальном, не менее........................<

максимальном, не менее.......................

Предельные эксплуатационные парамет] ИМС К174ХА19

Напряжение питания В..........................8,,

Напряжение АПЧ г/дп, мВ, не

более............... .......................................................

Синфазное напряжение на входе АПЧ

Апч В.:..........................................................<

Управляющее напряжение на выводе 10 £/jo, В, не более.....................................



Постоянный выходной ток в цепи выводов, мА;

9 - 1д, не более...........................................3,6

13 - /j3, не более.....................................0.08

14 - /j, не более...................................0,051

16 - /jg, не более.......................................0,2

4.4. СЕРИЯ К175

Серия К175 представляет собой комплект интегральных микросхем, предназначенных для применения в трактах промежуточной частоты радиолокационной и связной техники, а также для узлов радиоэлектронной аппаратуры. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоляцией р-п переходом.

Состав серии

К175УВ1А,Б - широкополосный усилитель

К175УВ2А,Б - универсальный усилитель

К175УВЗА,Б - экономичный широкополосный

К175УВ4 - усилитель-преобразователь высокой частоты

К175ДА1 - детектор AM сигаалов и детектор АРУ с УПТ

К175ПК1 - регенеративный аналоговой делитель частоты

Микросхемы выпускаются в прямоугольном металло-стеклянном корпусе 401.14-4 с параллельным расположением выводов. Г WW

Основные эксплуатационные характеристики указанных типов ИМС приведены в табл. 4.4.

ИМС К175УВ1А, К175УВ1Б (рис. 4.39) представляет собой широкополосный усилитель и содержит трехкаскадный усилитель на транзисторах VT2...VT4 "и отдельный транзистор VT1.

В зависимости от верхней граничной частоты полосы пропускания ИМС делится на группы А и Б. У первой верхняя граничная частота не менее 30 МГц, у второй - не менее 45 МГц. Нижняя граничная частота полосы пропускания определяется емкостью переходных конденсаторов С1, С4 (см. рис. 4.39 в). Амплитудно-частотную характеристику усилителя можно корректировать, подбирая емкость конденсатора С2 (емкость в пределах 0...30 пФ). Допускается работа ИМС на нагрузку сопротивлением

ИМС HI 75961

10 9

R1 5,5к


5 43

Рис. 4.39 а. Принципиа,тьная схема ИМС К175УВ1

Таблица

Номинальное

Гарантирован-

Гарантиро-

Микросхема

напряжение

, бочий диапазон

ная наработка

ванный срок

Число

Номер чертежа!

питания, В

- температур, С

микросхемы

хранения.

элементов

к*рпуса

на отказ, ч

К175УВ1АБ

+6,3±0,63

-45...+85

10 ООО

16 :

К175УВ2АБ

-1-6,0±0,6

-45...+85

10 ООО

К175УВЗАБ

+6,0±0,б

-45...+85

10 ООО

16

К175УВ4

+6,0±0,63

-45...+85

10 ООО

16 ;

К175ДА1

+б,0±0,6

-45...+85

10 ООО

16 1

К;г75ПК1

+6,00,6

-45...+85

10 ООО

Одщий Блакиродка Колпентор транзистора К эмиттер транзистора э Б аза транзистора Б -Выход

-ч-г-

- OS ратная сВязь

Обратная сВязь

Вход

- Норренция

- Н орренция

- Uho

Рис. 4.39 б. Назначение выводов ИМС К175УВ1А.Б

lie менее 200 Ом и емкостью не бо-ме 10 пФ, а также на последовательный резонансный контур,

Электрические параметры ИМС К175УВ1А,Б при 25±10Х и £/„.„.„„„=+6,3 В

1ок потребления /„, мА при V=0,

не более........................................................................15

И1.1ходное напряжение В, при

У«х=0........................................................................3...4,5

Коэффициент усиления по напряжению

Ки при £/,=10 мВ, 4=ч1 МГц, не

менее..............................................................................10

Коэффициент гармоник %, при

Vfy, не более.;............................................ю

Ксчффициент шума К, дБ, при

Д=20 МГц. не более.............................................12

Входное сопротивление кОм, при

..=100 кГц, не менее..............................................1

Вы-одное сопротивление Лц. Ом,

при 4=100 кГц, не более....................................75

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К175УВ1А.В

Ьапряжение питания V, В, не

оолее.....................

Максимальная амплитуда входного на-

пряжения £/, В.,

Нестабильность коэффициента усиления А(/. % при

.1,5

окрср=-45-.+85=С..

..25

ИМС К175УВ2А, К175УВ2Б (рис. 4 40) представляет собой универсальный усилитель, предназначенный Для усиления преимущественно переменного тока.

ИМС содержит дифференциальный Усилитель на транзисторах VT1,

6,3 В

Вход ,12


М1К175УВ1

6 Выход ajSfiK

2 Л-СЗ

а, 15ПН

ХС2,

1 Г1

Рис. 4.39 в. Типовая схема включения ИМС К175УВ1

VT4...VT6 и два транзистора Vl VT3, на которых можно построй входные или выходные эмиттерн! повторители. Отсутствие внутренн) коллекторных нагрузок позюля подключать к ИМС различные изб рательные цепи. Режим работы ус лителя по постоянному току задают помощью цепи смещения на транэ

II 10

9-12-8-

X

3 •Б


-YvTt Г

\ fB 0,9К 1

1

Рис. 4.40 а. Принципиальная схе«а ИМС К175УВ2





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 [29] 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

0.0037