Табщща 1.12

ИМС подтипа- 21 с тем же числом выюдов составляют 81,5х 20,3 > 3,5 мм, 5=16,5 см2 и V=5,77 см. Следовательно, мйкрокорпус занимает на плате площадь ё 4,8 раза и объем в 5,5 раза меньшие, чем обычный корпус ИМС.

Микрокорпуса более плотно располагаются на плате в габридной ИМС или микросборке, а также на печатной плате, что дает юзможность достижения более плотной компоновки ФУ.

Уменьшение размеров МК приво-/ дит к значительному сокращению расхода дорогостоящих материалов: золота, керамики, сокращается номенклатура технологической оснастки. При обнаружении и отбраковке дефектной микросхемы применение недорогого МК дает значительную экономию по сравнению с корпусной ИМС. /

Использование микрокорпусов улучшает электрические параметры ИМС из-за укорочения токопроводя-щих ;орожек, снижения сопротивления и уменьшения межвыводной емкости, что повышает быстродействие ИМС.

Микрокорпус является частью кон--струкции ИМС (БИС) и предназначен для защиты кристаллов от внешних воздействий и соединения их посредстюм выводных площадок (выводов) с внешними электрическими цепями аппаратуры.

Табши 1.13

Таблица 1.14

• Для всех типоразмеров /=1.

Конструкции основных приведены на рис. 1.8, а ры - в табл, 1.13 -1.15.

Каждому выводу присваивается номер. Возможно отсутствие некоторых выводов, однако их номера сохраняются для соответствия контактным площадкам печатной платы. Выэод отмечается ключом - точкой, размет щенной в заштрихованной зоне (рис. 1.8).

типов МК Номера выводов возрастают по пе-1 их .разме- риметру МК против часовой стрелки (если смотреть сверху)»

Таблица 1.15

* Для всех размеров /=1,25.

1.5. УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Интегральные микросхемы для бытовой радиоэлектронной аппаратуры сохраняют свои параметры в

пределах норм, установленных техническими условиями на каждую конкретную микросхему, при воздействии и после воздействия различных эксплуатационных факторов.

В табл. 1.16 приводятся условия эксплуатации микросхем, включенных в спраючник.

Для большинства ИМС, используемых в бытоюй ЮА, техническими условиями установлена минимальная наработка на отказ не менее 10 009 или 15 ООО ч, а в облегченных режимах 25 ООО ч. Минимальная наработка на отказ конкретных микросхем указывается в ТУ

В упаковке предприятия-изготовителя или в составе аппкртуры, а также в комплекте ЗИП микросхемы для бытовой ЮА могут храниться не менее шести лет.

Таблица 1,16

I,./

Глава 2

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ ЗВУКОВОСПРОИЗВОДЯЩЕЙ АППАРАТУРЫ

2.1. СЕРИЯ К174

Серия К174 представляет собой комплект аналоговых микросхем, предназначенный для высококачественной звуковоспроизводящей аппаратуры. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоляцией р-п переходом.

Состав серии

ИМС, К174УНЗ - предварительный усилитель низкой частоты

ИМС К174УН4А,Б - усилитель мощности с - выходной мощностью 1,4 Вт

ИМС К174УН5 - усилитель мощности звуковой частоты мощностью 2 Вт на нагрузке 4 Ом

ИМС К174УН7 - усилитель мощности звуковой частоты с выходной мощностью 4,5 Вт

ИМС К174УН8 - усилитель мощности звуковбй частоты с номинальной выходной мощностью 2 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом

ИМС К174УН9А,Б - усилитель мощности звуковой частоты с выходнрй мощностью 5 Вт и защитой от перегрузок на выходе

ИМС К174УН10А,Б - двухканаль-ный усилитель звуковой частоты с электронной регулировкой частотной характеристики

ИМС К174УН11 - усилитель мощности звуковой частоты с выходной мощностью 15 Вт и защитой от перегрузок на выходе

ИМС К174УН12 - двухканальное регулирование громкости и баланса

ИМС К174УН14А,Б - усилитель мощности звуковой частоты

ИМС К174УН15 - двухканальный усилитель мощности звуковой частоты с выходной мощностью на канал 9 Вт

ИМС КФ174УН17 - двухканальный усилитель звуковой частоты с вы ход 011 на стерео-, телефоны

ИМС К174УН18 двухканальный усилитель мощности звуковой частоты для переносной аппаратуры

ИМС К174УН19 - усилитель мощности звуковой частоты с выходной мощностью 15 Вт.

ИМС ,К174КП1 - двухканальный переключатель низкочастотных сигналов

Номера чертежей корпусов и основные эксплуатационные характеристики микросхем приведены в табл. 2.1.

ИМС К174УНЗ (рис. 2.1) представляет собой предварительный усилитель звуковой частоты, используется в качестве микрофонных и телефонных усилителей в радиоприемной аппаратуре, а также для усиления слабых сигналов. Имеет коэффициент усиления более 600, малый коэффициент шума и хорошую линейность выходной характеристики. Состоит из двухкаскадного входного усилителя на транзисторах VT1, VT2 с внешними нагрузками и цепями смещения и двухкаскадного выходного усилителя на транзисторах VT3, VT4, VT9, ко«« торый через транзистор VT4 можно охватить внешней обратной связью. Транзисторы VT5...VT8 в диодном включении согласуют уровень коллекторного напряжения транзистора VT3 и потенциал на базе выходного транзистора по постоянному току. Приме- няется с большим числом навесныз компонентов, определяющих температурную стабильность усилителя, его

Таблица 2

15 ООО 15 ООО 15 ООО 15 ООО

15 ООО 15 ООО 15 ООО 15 ООО 15 ООО 25 ООО 25 ООО 50 ООО 50 ООО 50 ООО 20 ООО

* Даинымв авторы ае располагают

тя сВязь

ВыхоЗ

Смешение

ВхоЗ J

VTS пб VT7 ута J

ОВратная связь 2

OSuiMU ОЬратная сЙяз» 3

Рис. 2.1 а. Принципиальная схема ИМС К174УНЗ

Выход

Вход

Смешение 0С1

частотную характеристику и коэфф] циент усиления. При сопротивлеш в цепи базы транзистора VT1 равно

1 кОм приведенное ко входу напр жение щумов усилителя составля!

2 мкВ в полосе частот 0...20 кГц.

Электрические параыетры ИМС К174УНЗ п 25±1<ГС и 1/-6 В.

Рис. 2.1 б. Расположения и назначение выводов ИМС К174У;НЗ

Ток потребления /, не более......

пот*

мА, при 1/ -О,

Коэффициент усиления по напряжению

(К ) при :-. и=о.1 мв, .

/=1 кГц..........................................................;.6б0...1400

Коэффициент гармоник (К, %, ni»i

£/=03 В, /=1 кГи, не более...........................1,2.

Напряжение шумов, приведенное ко входу шлх» мкВ, . в полосе 0...20 кГи и сопротиатении

6VTi~ кОм, не более........................ ...............2

Входное сопротивление R, кОм, на

частоте 1 кГц, не менее...................................... 10

Транзисторах VT3, VT4. Постоянное смещение на базу транзистора VT3 f подается через резистор R3. Транзи--CTopaMJj VT1, VT2 обеспечивается температурная стабилизация напряжения смещения. Выходной сигнал дифференциального каскада снимается через транзист< VT6, в коллекторную цепь которого включена тер-мостабилизированная нагрузка на транзисторах VT7, VT8 и резисторе R8. Далее сигнал поступает в каскад на CocTis®HOM тркнзиСтсфе VT9 VTJO. Этот каскай выполняет функции преобразователя уровня, предельные эксплу«нные параметры „лечИ выходного двухта1ного кас-

имс К174УНЗ выполнены по схеме эмиттер-

ных пoвтopиfeлeй на составных

Напряжение питания В, не ТраНЗИСТОраХ VT14 VT15 И VTJJ

..................................................................."..........VTI2 VT16. Порог открывания эмит-

Минимальное сопротивление нагрузки терных повторителей Определяется

*нтш "о**- .............................................10 падением напряжения на „резисторе

Коэффициент усиления Kj при темпе- jjq ОтрИЦатеЛЬНаЯ обратная СВЯЗЬ С

ратуре -25...+55°С, не менее...,.......................400 ыхода усИЛИТеЛЯ череЗ резиСТОр R14

на, базу транзистора VT4 уменьшает ИМС К174Н4А, К174УН4Б нелинейные искажения, связанные со (рис. 2.2) представляют собой усили- ступенькой в выходном сигнале. Затели мощности звуковой частоты, висимости основных параметров Входной каскад усилителя построен ИМС от режимов эксплуатации при-по дифференциальной схеме на ведены на рис. 23.

Вомтдобавка

Одсций

С1 Wmkx6,3B -L* /?7 WOk

Вход

ЮмкхбЗВ

" +

R3 Ч-7К

СЧ Юмку-б.ЗВ

--1Нг-

ВМ К17Ш5

+ CS- ЮмкБЗВ

Выход

R8 Ч-7К

>

R7 его

21 в. Типовая схема включения ИМС К174УНЗ

X сб

обратная сВязь

Рис. 2.2 а. Пришщпиальная схема ИМС К174УН4А,Б

Управление cmaSuJiu-затором тока Обратная связь

Теплоотвод

Вход

Фильтр •

Рис. 2.2 б. Назначение выводов ИМС К174УН4А,Б

ОВций

SOMK X 16В

Вход

сг somhisb R1 1,ак

I-1Ьт-

СЭ 1мк 16В

ЛА1 КтУНЧА сц.

И О.

~С5 = = Сб

гоомк 1бв

Рис. 2.2 в. Типовая схема включения ИМС К174УН4А,Б