Микроскоп

Детектор на inSb с охлаждающим устройством

Предусипитепь

Оператор

Канал видимого изображения

Измеритель ИК-излучение Выходного сигнала

Оптический разделитель Ик-излучения и дидимого света

Видимый свет и ИК- излучение

Объектив Платформа

Рис. 11.9. Функциональная схема инфракрасного микроскопа

Рис. 11.10. Фотография инфракрасного микроскопа с устройством управления платформой (слева) и радиометром (справа)

Выходной сигнал

йлоогформа

для придора

Совокупность температур

Рис. 11.11. Схема автоматической системы управления инфракрасным микроскопом

инструмента, определяемое как диаметр измеряемой точки, в зависимости от используемого объектива составляет 10 - 25 мкм.

Микроскоп, изображенный на рис 11.9, был усовершенствован и дополнен следующим оборудованием.

1) парой прецизионных шаговых двигателей для точного контроля координат X -Y рабочей платформы;

2) встроенными подогревателем и регулятором температуры;

3) средствами автоподстройки чувствительности усилителя радиометра.

На рис. 11.10 представлена фотография ИК-системы с устройствами управления. Устройство унравпения перемещением платформы содержит цепи управления нагревателем и двигателем и обеснечиваег цифровую индикацию относительных перемещений. Устройство управления радиометра (УУР) обеспечивает управление и считывание показаний радиометра

Встроенный нагреватель используется для подогрева верхней площадки платформы в диапазоне до 200°С. Нагреватель управляется УУР и обеспечивает проведение ка-либрововдых измерений ири изменении излучательной способности поверхности.

Компьююр, рабочаюцщй в режиме реального времени, предназначен для управления ИК-микроскопом. Иа рис. 11.11 представлена схема автоматической системы ИК-микроскопа. MnoronpoipaMMHoc устройство, управляемое компьютером, работающим в режиме реальною времени, содержи! специализированную аппаратуру для обеспечения: 1) последовательности импульсов для запуска двигателя; 2) опорного уровня напряжения с использованием цифро-аналогового преобразователя для управления температурой нагревателя; 3) управления затуханием аттенюатора в усилителе радиометра для 11о1лдержания выходного сигнала в требуемом диапазоне; 4) анало10вого сканирования с помощью релейного счегчика

Компьютер прослеживает положение платформы, регистрируя число импульсов, полученных каждым методом. Пропорциональное температуре напряжение, получаемое на гормонаре, и выходной сигнал излучения регистрируются путем подключения ана-л010в010 сканирующего устройства к цифровому вольтметру.

0,2 aji OS 0 8 I 1,2 /,«

PacrmoHHW, мм

Рис 11 12 Профн lb распредскния темпеpa-vpbi по пяти ячейкам ПТШ с чстирьмя la

гворами в Ka>iCiOM при Р 2,1 Вт

pate

На рис li 12 покиап полученный с поме лью описанной апп ip иуры профиль 1емне рагур в U) 1ь центра ПТШ, изготовленного для 1бра7ного монтчж) Значения темпера турных пиков соответс1вуюг стокам )Н1Чснпя it mi ерлг> рных микиму мов истокам Значение пиковой reM.itpaTvpbi S-i С да ттеоювое сонротлалеиис пятинчеечнпо ПГШ (обиая шипа затвора IV = 1 мм) 9 -Ч i Fr (0=57°С мм/Вг) Д 1я сравнения иа рис 11 П показан профиль гсмпс[ат\р при пкхом коН7акте истока Hci мотря на то, что вее истоти лекриче ки связзпы rt 1Л0 и)й контакт неодн зреще н, а результате чего у\>лыаюгея СВЧ параметры л ч.ъкжпось П HjnConce paioipeToii области О = 24C/Bi (О =72 Г MM,Bi)

И 3 2 МГТОЦ И nil Р! МИЯ t ПОМОЩЬЮ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ

Этот год является, верояш) н1И1учшим для 111меришя кмllepaтpы ртзмрева ПТШ в рабочем режиме В ochofv мою \л по южепо то, что ме точками нл т и

изотропной нем,пичсс1Ие жидкис крпс ллы имеют фа1>, в которой вее мольулы ориентированы в ошом папраьчочии При смпсратурах выше изотропной ме) 1ек\ лы жидкою кристмп р,1е11С1,(1жчЫ lOIчнo 5и 1 icH.ie изотрощюй температуры явля егся характеристикой каждого жидкокриста иическою Вс1цсства i vo#f г быть усгапов леи) с тезчностьк» +0,5°( [15] Некоторые исматяческие жидьие криеылчы хзрактерн з>ются изотропной температурой 5( 200"С и нзхо 1ЯГсЯ в жидкой фазе при чомп1Тной

температу])е, что облегчает их использо ванне

Для измерения температуры гранзисЮ ра, емо nnpoBdHiiOio па .юдложке н i пего наносится гонкий слой жидко! о крист шли чсч ого венлее твз Г ш с юи жидкого кри1

Рис И 3 Профгыь рicnpejeie 1ия ТРМП~ •пиры по НПО е некачественно вьпюл ионным присос дттчгпсм истоков при

О 0,2 0,4

OS 0,8 I 12 14 Рпсст"ян le, мм

6 lb

2 1 Вт