Главная Промышленная автоматика.

-0 -C.MKM

Доза

экспозиции

0 50 100 150 200 250 300 350 Полуширина пладающей линии, нм

Рис. 5.9. Зависимость полуширины линии от шаговой скорости

строчной развертки: Т - временной период


Рис. 5.10. Клин экспозиции: Резист а - структура; б - изменение дозы экспозиции; в - вскрытый клин ->


Резист

Технология нанесения резиста. Последнее время исг метилметакрилат (ПМК) и резисты Шипли AZ1350. При1Лльзуются два резиста: поли-ся его чувствительностью к ультрафиолетовому излученценение AZ1350 ограничивает-оптимальной дозой экспозиции и дозой полного cmHBaiV Кроме того, разница между ПМК. Этот недостаток, конечно, можно устранить болеля на нем видна хуже, чем на следовательно, уменьшением оптимальной дозы экспоз! длительным проявлением и, толшлна неэкспонированного слоя. Резист AZ1350 имеет Ции, но тогда уменьшится и его адгезия и чувствительность лучше, к тому же на нег») )яд преимуществ перед ПМК: пять фотолитографию и электронно-Лучевую литографию. Можно одновременно выпол-

5.4. ХАРАКТЕРИСТИКИ НА ПОСТОЯ

iOM ТОКЕ

Начальный отбор транзисторов по постоянном

характериографе по вольт-амперным характернее току осуществляется на ристики транзисторов с длиной затвора 0,5 и 0,3 мкам. Типичные характе-По измерениям крутизны 5 определяется концетм приведены на рис. 5.11. ном слое, тогда как исследование отсечки позво:раиля носителей в актив-о качестве границы раздела активный - буфернтет получить информацию

слой. На некоторых обет



Сдет

темнота

Темнота


Рис 5 11 Воиьт амперные характеристики ПТШ, из готовленные с применени ем электронно лучевой ли то графин (цена деления по вертикаш 5 мА по го

ризонтали 1 В) а дни la затвора 0 Ь мкм б ьтнА затвора О 3 мкм

, 20


3 4:, /( I/

Рис S исток при I/,

12 Зависимость сонрогивлсиия сток от смещения па затворе 50 мВ и 15 ЮЧм п 1 5 10"см


Рис S 13 Фотография в picipo <ом тс \ тронном микроскопс области каи шт полсгсго гртнзисгор!

paaiix гю пробивному напряжению затьор исток и диодной \арактеристи к. в прямом направлении контролируется к1чес1во барьера шот-ки

{)тобранные образцы подвер1аются анализу по методике, описалчои в Oaooiax [6 7] Переходные характеристики соотвсгствующис насыщению ь линейному участку, измеряются при смещении на стоке 5 В и 50 мВ соот

< хСТВеННО

Исиотьз/я переходную характеристику при соответствующем смещении :)(; мВ строя! график зависимости общего сопротивления исток-сток ис от реличииы V(l \/б7 6\,„q), 1де напряжение смещения затво-

i " зи отс

напряжение отсечки поту юниое экстраполящтеи линейной час



ти переходной характеристики к нулевому току Здесь напряжения t/g и зиотс включают в себя потенциал барьера Шотки Экстраполяция линейной области графика на ось сопротивления дает сумму паразитных сопротивлений истока и стока (Л + R), наклон линейной части графика определяет сопротивление полностью открытого канала Лан ™Д затвором Если область затвора размещается посередине между истоком и стоком, то половина общего сопротивления R + является паразитным последовательным сопротивлением истока - важным параметром в определении ВЧ характеристик транзистора В качестве примера на рис 5 12 представлены эти результаты На рис 5 13 показано соответствие определяемых сопротивлений сечению по тевого транзистора Знание сопротивления слоя под металчиза-!даопным сюем затвора измерение длины затвора и размеров канала на дне вытравленной части тчанала позволяют рассчитать паразитное сопротив пение подтравреннои части канала Зти вычисления показывают что 60 90/ сопротивления истока может быть приписано подтравленной области канала затвора Значение сопротивления определяется начальной толщиной слоя и качеством процесса фотолитографии

Информация, полученная из характеристик транзисторов на постоянном токе, очень полезна для технологов и разработчиков транзисторов, а также служит незаменимым элементом обратной связи для спетщалистов, занимаю цдихся выращиванием материала

5 5 ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ХАРАКГГРИСТИКИ

Измерения коэффициентов шума и усиления па частоте 18 ГГц произво дились с использованием сравнительно простои измерительной головки (рис 5 14) Кристалл транзистора монтируется на подложке из окиси алю миния, на которую нанесена микрополосковая линия Затвор, исток и сток подключаются несколькими проволочными выводами Индуктивность про волочных соедините 1ей может полностью компенсировать усилительные ха рактеристики транзистора, поэтому для обеспечения максимально возмож ных усилительных и минимальных шумовых характеристик необходимо ис пользовать параллельное подключение нескольких проволочных выводов В измерите 1Ы10Н головке со гласоватше на минимум шума осутцествляется движением со (ласовагеля в виде кусочка металпа неправильной формы вдоль 50 омной линии переда чи, которая соединяет траизис гор с измерительной аппарату рой Применение подобных из меняющихся емкостных шунти

Ь*ис 5 14 Новая измерительная го ювка для диапазона 12 4 18 ГГц






0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 [28] 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165

0.0038