ЧАСТЬ VI НАДЕЖНОСТЬ GaAs ПТШ

Введение..............................................181

Глава 12 Надежность GaAs ПТШ Дж. К. Эрвин

12.1. Введение...........................................181

12.2. Металлизация........................................182

12.3. Математический аппарат для анализа надежности..................184

12.4. Оборудование для испытания приборов на долговечность.............189

12.5. Механизмы отказов и надежность малошумящих GaAs ПТШ...........194

12.6. Механизмы отказов мощных GaAs ПТШ ......................204

ЧАСТЬ VII ПРИМЕНЕНИЕ GaAs ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Введение..............................................215

Глава 13

Малосигнальные и нелинейные свойства GaAs ПТШ Г. Д. Венделин

13.1. Введение...........................................215

13.2. Характеристики GaAs ПТШ на постоянном токе...................218

13.3. Характеристики GaAs ПТШ на переменном токе...................223

13.4. Применение GaAs ПТШ..................................231

13.5. Заключение.........................................255

Глава 14

Схемотехнические аспекты применения мощных GaAs ПТШ В. О. Шлоссер, В. Соколов

14.1. Проектирова1ше линейных усилителей.........................255

14.2. Проектирование усилителей мощности........................268

14.3. Коэффициент полезного действия...........................278

14.4. Линейность усилителей..................................282

14.5. Технология изготовления схем на ПТШ........................291

ЧАСТЬ УП1 ЦИФЮВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Введение..............................................330

Глава 15

Логические схемы на GaAs полевых транзисторах с обеднением-обогащением

Д. Уилсон, Д. X. Филлипс

15.1. Введение...........................................331

15.2. Основы проектирования и изготовления.......................332

15.3. Проектирование и изготовление элементов ИС...................335

15.4. Схемотехника........................................338

15.5. Заключение.........................................342

Глава 16

Логические элементы на ПТ с непосредственными связями

К. Леговец, Р. Зулиг

16.1. Внедение...........................................345

16.2. Полевой транзистор на GaAs...............................347

16.3. Характеристики инвертора................................353

16.4. Современная те.чнология изготовления логических элементов на ПТ с непосредственными связями......................................363

16.5. Сравнение логических элементов на ПТ с непосредственными связями с логическими элементами на ПТШ с ДШ и на буферных ПТШ................368

16.6. Сравнение базовых логических элементов на GaAs и Si для быстродействующих СБИС .............................................374

16.7. Заключение.........................................375

Глава 17

Планарная технология локальной ионной имплантации БИС и СБИС на ПТШ с ДШ

Р. К. Иден, Б. М. У-злч

17.1. Введение...........................................377

17.2. Принцип построения логических элементов на ПТШ с ДШ.............379

17.3. Технолошя шанарных ИС на GaAs...........................383

17.4. Экспериментальные результаты.............................403

17.5. Заключение.........................................411

ЧАСТЬ IX ВЗГЛЯД В БУДУЩЕЕ Глава 18 Взгляд в будущее Дж. Р. Баркер

18.1. Введение...........................................414

18.2, Состояние дел в настоящее время............................414

18.3. Малогабаритные и сверхбыстродействующие системы...............418

18.4, Материалы..........................................425

18.5, Сложность и системы...................................427

18.6. Заключение.........................................438

Список литературы........................................439

Список работ, переведенных на русский язык.......................488

Список работ советских авторов из списка литературы английского оригинала. , , 489