Главная Промышленная автоматика.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора перевода................................5

Предисловие............................................

ЧАСТЬ I

ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИЕ ПОДЛОЖКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Введение.............................................

Глава 1

Полуизолирующие подложки из арсенида галлия Я. Ф. Линдквист, У. М. Форд

Введение ............................................... 1

1Л. Механизм проводимости полуизолирующего GaAs...................9

1.2. Методы выращивания кристаллов.............................19

1.3. Методы исследования материалов.............................25

1.4. Эффекты иа границе раздела "подложка - активный слой".............31

1.5. Заключение...........................................36

ЧАСТЬ II

ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Введение...............................................37

Глава 2

Эпитаксия слоев из паровой фазы для GaAs полевых транзисторов

Л. Холлан, Д. Халлайс

2.1. Требования к характеристикам материалов...................... 38

2.2. Основные методы выращивания эпитаксиальных гшенок...............42

2.3. Хлоридный метод эпитаксии из паровой фазы......................42

2.4. Заключение...........................................54

Глава 3

Молекулярио-лучевая эпитаксия слоев для полевых транзисторов СВЧ

К. Е. К. Вуд

3.1. Получение активного слоя..................................55

3.2. Методы эпитаксии.......................................55

3.3. Формирование профиля распределения основных носителей заряда........57

3.4. Омические контакты.....................................58

3.5. Ограничение потоков электронов.............................59

3.6. Селективная эпитаксия ....................................60

3.7. Сложные полупроводниковые соединения для ПТШ..................61

3.8. Последние разработки....................................62



Глава 4 Имплантация в GaAs Ф. Эйзен, К. Керкттрик, П. Асбек

4.1. Введение.....,...................................... 63

4.2. Явления в подложках.................................... 65

4.3. Защита и отжиг........................................ 0

4.4. Характеристики легирующих примесей п-типа..................... 73

4.5. Применение ионной имплантации............................. 76

ЧАСТЬ 111 МАЛОШУМЯЩИЕ GaAs ПТШ

Введение..............................................

Глава 5

Шумовые и усилительные свойства ПТШ с длиной затвора меньше 1 мкм Дж. А. Тернер, Р. С. Батлин, Д. Паркер, Р. Беннетт, А. Пик, А. Хьюз

5.1. Введение............................................ 9

5.2. Рекомендации по разработке транзисторов....................... 80

5.3. Разработка и изготовление транзисторов........................ 83

5.4. Характеристики на постоянном токе.......................... 87

5.5. Высокочастотные характеристики............................ 89

5.6. Заключение..........................................

Глава б Малошумящие GaAs ПТШ Ф. Хасэгава

6.1. Базовая структура и геометрия прибора........................92

6.2. Оптимизация конструкции ПТШ.............................95

6.3. Характеристики в СВЧ диапазоне.............................99

ЧАСТЬ IV МОЩНЫЕ GaAs ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Введение..............................................101

Глава 7

Мощные GaAs полевые транзисторы, технология обратного монтажа кристалла

И. Друкир

7.1. Введение............................................102

7.2. Эпитаксиальный материал.................................103

7.3. Процесс изготовления....................................106

7.4. Геометрия прибора.....................................107

7.5. Сборка прибора.......................................108

7.6. Свойства прибора......................................110

7.7. Надежность..........................................111

7.8. Заключение..........................................112



Глава 8 Мощные GaAs ПТШ Ф. Хасэгава

8.1. Базовая структура прибора................................

8.2. Проектирование топологии мошиого транзистора..................118

8.3. Характеристики в СВЧ диапазоне.............................126

Глава 9 Конструирование мощных GaAs ПТШ X. М. Мак си

9.1. Введение............................................131

9.2. Конструирование одиночной ячейки...........................132

9.3. Объединение ячеек......................................137

9.4. Специальное конструирование прибора.........................140

9.5. Свойства ПТШ в СВЧ диапазоне..............................142

Глава 10

Принципы конструирования мощных GaAs ПТШ. Процессы их изготовления и технология материалов

У. К. Нейгауз. С. X. Узмпл, X. М. Кок, Л. А. ДАзаро, Д. В. Ди Лоренцо, X. Фукуи, Дж. К. М. Хван, Дж. К. Эрвин, В. О. Шлоссер

10.1. Введение........................................... 144

10.2. Технология материалов.................................. 144

10.3. Последовательность процессов изготовления кристалла.............. 145

10.4. Обзор общих принципов конструирования мощных ПТШ............. 147

10.5. Оптимизация конструкции канала с целью получения максимальных выходной мощности и надежности .................................. 148

10.6. Структура металлических слоев прибора....................... 153

10.7. Топология кристалла................................... 154

10.8. Характеристики в СВЧ диапазоне............................ 156

10.9. Заключение......................................... 158

ЧАСТЬ V

КОНСТРУИРОВАНИЕ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА GaAs С УЧЕТОМ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ

Введение..............................................161

Глава 11

Конструирование мощных GaAs ПТШ с учетом тепловых процессов

С. X. Уэмпл, X. Хуан

11.1. Введение...........................................161

11.2. Анализ............................................162

11.3. Методы измерения теплового сопротивления....................168

11.4. Сравнение теоретических и экспериментальных данных..............178





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 [164] 165

0.0039