Главная Промышленная автоматика.

список РАБОТ, ПЕРЕВЕДЕННЫХ НА РУССКИЙ ЯЗЫК

К ГЛАВЕ 1

43. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: Пер. с англ./Под ред. М. К. Шейкмана. - М.: Мир, 1977. - 562 с.

64. Пфанн В. Зонная плавка: Пер. с англ./Под ред. В. Н. Вигдоровича. - М.. Мир, 1970. - 366 с.

127. Атомная диффузия в полупроводника.х/Под ред. Д. Шоу; Пер. с англ. под ред. Г. Ф. Воронина, В. П. Зломанова. - М.: Мир, 1975. - 684 с.

К ГЛАВЕ 3

12. Зи С. Физика полупроводгшковых приборов: Пер. с англ. - М.: Мир, 1984. - 2 кн.

К ГЛАВЕ 8

8. Мимура Т., Судзуки X., Хукуда м. Излучение видимого света из полевого транзистора на основе GaAs THH3P. ~ 1977. - Т. 65, №9. - С. 215-216.

К ГЛАВЕ И

19. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. Пер. с англ./Под ред. А. А. Померанцева. ~ М.: Наука, 1964. - 487 с.

К ГЛАВЕ 12

7. Пек Д. С, Зирдт К. X. Надежность полупроводниковых приборов на фирме Bell Sys-1ет ТИИЭР. - 1974. - Т. 62, № 2. - С. 65- 104.

К ГЛАВЕ 13

1. мид. С. А. Полевой транзистор с затвором Шотки ТИИЭР. - 1966. - Т. 54, N" 2. -С. 228-229.

2. Хупер В. В., Лерер В. И. Эпитаксиальный GaAs полевой транзистор ТИИЭР. -1967. - Т. 55, № 7. - С. 185-186.

53. Ситч Дж. е., Робсон П. Н. Работа полевых транзисторов из GaAs в качестве СВЧ смесителей ТИИЭР. - 1973. - Т. 61, № 3. - С. 171-172.

К ГЛАВЕ 14

23. Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью: Пер. с англ./Под ред. А. А. Колосова, Л. А. Мееровича. - М.; ИЛ, 1948, - 641 с.

69. Фреиер Л. X. Быстрый расчет усилителя при помощи параметров рассеяння Элект-роника. - 1967. - № 18. - С. 19-29.

Вайнерт Ф. Расчеты высокочастотных транзисторных схем с помощью параметров рассеяния Электроника. - 1966. - № 18. - С. 3-14.

130. Маттей Г. Л. Таблицы для расчета трансформаторов сопротивлений в виде фильтра нижних частот Чебышева ТИИЭР. - 1964. - Т. 52, № 8. - С. 1003- 1028.

131. Маттей Д. Л., Янг Л., Джонс Е. м. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи: В 2 т./Пер. с англ. под ред. Л. В. Алексеева, Ф. В. Кушнир. - М.: Связь, 1971, 1972. - 2 т.

К ГЛАВЕ 16

2. мид С. А. Полевой транзистор с затвором Шотки ТИИЭР. - 1966. - Т. 54, № 2. -С. 228-229.

17. Трофименков Ф. Н. Тепловой шум в полевых транзисторах ТИИЭР. - 1965. -Г. 53, №9. С. 1403-1404.



25. Вольф П. Н. Вычисление емкости некоторых простых конфигураций ТИРИ. -1962. ~ Т. 50, № 10. - С. 2168 -2169.

46. Бош Б. Г. Гигабитовая электроника Обзор ТИИЭР. - 1979. Т. 67, N" 3. -С. 5 -51.

К ГЛАВЕ 17

18. Сверхскоростные интегральные схемы на GaAs/C. И. Лонг, Б. М. Уэлч, Р. Цукка и ДР. ТИИЭР. ~ 1972. - Т. 70, № 1. ~ С. 44-58.

20. Идеи Р. С. Сверхскоростные цифровые интегральные с.хемы ТИИЭР. - 1982. -Т. 70, №1.- С. 5-7.

К ГЛАВЕ 18

1. Куи Т. С. Структура научных революций: Пер. с англ. - М.. Прогресс, 1977. -300 с.

СПИСОК РАБОТ СОВЕТСКИХ АВТОРОВ ИЗ СПИСКА ЛИТЕРАТУРЫ АНГЛИЙСКОГО ОРИГИНАЛА

К ГЛАВЕ 1

5. Кульрешта Арун П., Юиович А. Э. Некоторые электрические свойства нолуизолирующего арсенида галлия Физика твердого тела. - 1965. - Т. 7, вып. 8. - С. 2549 -2551.

18. Влияние кислорода на свойства арсенида галлия, легированного переходными металлами/Д. Г. Андрианов, Э. М. Омельяновский, Е. П. Рашевская, Н. И. Сучкова Фи-зика и техника полупроводников - 1976. - Т. 10, вып. 6. - С. 1071-1075.

23. Балагуров Л. А., Омельяновский Э. М. Первова Л. Я. Биполярная проводимость в полуизолирующем арсениде галлия с примесью хрома Физика и техника полупроводников. - 1974. - Т.8, вьш. 8. - С. 1616-1619.

27. Ипполнюва Г. К., Омельяновский Э. М., Первова Л. Я. Внутрицентровыс оптические электронные пере.ходы в GaAs Сг при наличии резонанса с континуумом Фи-зика и техника полупроводников. - 1975. - Т. 9, вьш. 7. - С. 1308-1313.

29. Гаиапольский Е. М. О состоянии примесных атомов хрома в арсениде галлия Фи-зика твердого тела. - 1974. - Т. 16, вьш. 10. - С. 2886 - 2893.

32. Пека Г. П., Карханин Ю. И. Энергетический спектр глубоких уровней и механизм излучательной рекомбинации в ОаА8(Сг) Физика и техника полупроводников. - 1972. -Т. 6, вьш. 2. - С. 305 - 310.

44. Мастеров В. Ф., Маморуков Б. Е. Глубокие центры в соединениях аВ Физик1: и техника полупроводников. - 1978. - Т. 12, вьт. 4. - С. 625-631.

46. Свойства арсенида галлия, легированного никелем/Н. И. Сучкова, Д. Г. Андрианов, Э. М. Омельяновский и др. Физика и техника полупроводников. - 1975. I " вып. 4. - С. 718-721.

47. Лукичева Н. И., Пелевин О. А., Первова Л. Я. Времена жизни носителей tok.i в высокоомном арсениде галлия, легированном железом Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т. 5, вып. 1. - С. 191-193.

48. Колчаиова Н. М., Наследов Д. Н., Талалакии Г. Н. Свойства арсенида галлия, легированного железом и никелем Физика и техника полупроводников. 1970 Т. 4, вып. 1. - С. 134-141.

49. Глубокие уровни в полуизолирующем арсениде галлия с примесью железа/ Э. М. Омельяновский, Л. Я. Первова, Е. П. Рашевская и др. Физика и 1ехника полупроводников. - 1970. - Т. 4, вьш. 2. - С. 380-382.



51. Энергетический спектр примеси V в GaAs/A. В. Васильев, Г. К. Ипполитова, Э. М. Омельяновский, А. И. Рыскин Физика и техника полупроводников. - 1976. -Т. 10, вып. 3. - С. 571-573.

52. Бекмуратов М. Ф., Мурыгии В. И. Исследование некоторых свойств компенсированного титаном и кобальтом арсенида галлия и диодных структур на его основе Фи-зика и техника полупроводников. - 1973. - Т. 7, вып. 1. - С. 83-87.

91. Влияние степени компенсации на фотопроводимость и фото-холл-эффект в монокристаллах полуизолирующего GaAs :Сг/Э.М. Омельяновский, А. И. Пантюхов, Л. Я. Первова и др. Физика и техника полупроводников. - 1975. - Т. 9, вып. 10. -С. 1930-1933.

92. Ерчак Д. П., Стельмах В. Ф., Ткачев В. Д. Особенности эффекта Холла в полуизолирующем арсениде галлия при фотовозбуждении Физика и техника полупроводников. - 1976. - Т. 10, вып. 8. - С. 1554-1556.

93. Доманевский Д. С, Ткачев В. Д. Примесная катодолюминесценция полуизолирующего арсенида галлия Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т.4, вып. П. -С. 2083-2087.

94. Горелеиок А. Т., Цареиков Б. В., Чиабриншвили Н. Г. Температурная зависимость примесной фотолюминесценции GaAs, легированного Сг Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т. 5, вып. 1. - С. 115-117.

К ГЛАВЕ 18

40. Аидроиов А. А., Витт А. А., Хайкин С. Э. Теория колебаний. - М.: Наука, 1981. -568 с.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 [163] 164 165

0.0039