Главная Промышленная автоматика.


х=а х=5 х-в х = 5 х=/

Рис 2.15. Расмрсцеление скорости потока и вдоль оси реактора 57

Рис 2.16. Распределение скорости потока по сечению реактора на расстоянии 1 мм над поверхностью подложки-В - отношение ширины подложки к внутреннему диаметру реактора 57 I


В = WO %

875/,

В 90 %

В низкотемпературной области (см. рис. 2.4) скорость роста определяется относительно медленным поверхностным кинетическим процессом, таким как адсорбция, десорбция или поверхностная реакция [32]. В этой области скорость роста эпитаксиального слоя менее чувствительна к скорости потока газа и существенно зависит от температуры подложки. Из рис. 2.5 видно, что скорость роста является функцией молярной доли AsCU. Эта зависимость также связана с особенностями механизма роста. Было показано [60], что тщательная оптимизация температуры осаждения и молярной доли AsCl,, долиаш приводить к очень высокой однородности толпщны пленки. Это видно из рис. 2.17 и 2.18.

Рис. 2.17. Зависимости однородпоеги ю.ч-пшны слоя or молярной доли AsCl, и

температуры роста 60. • - однородность < -Ч7г: - одиороц-nocib < ±37р; г - однородность < ±4а:

-i- - однородность > 47i




Т= 700к

- \

1 1

1 J 1 1 1 1

Рис. 2.18. Зависимости относительной скорости роста от расстояния до переднего края подложки для различных температур роста. Молярная доля АчС1э = 2,3- 10"601

23 Л Расстояние, мм

*~ i i\ , Для получения однородно легированных слоев нужно тщательно производить гидродинамический и кинетический контроль. По-видимому, в действительности вводимая легируюпдая примесь не подчиняется тем же кинетическим ограничениям, что и скорость роста.

Приемлемая воспроизводимость процесса достигается в методе AsCi3-Ga-И2 [60] и этот метод используется многими фирмами.

2.4. ЗАКЛЮЧ1НИ1

В настоящее время разрабатываются различные методы получения материалов для нолевых транзисторов. Однако эти методы дают практически одинаково хорошие результаты, поэтому выбор метода определяется из других соображений. Для промышленного использования, однако, метод AsClj-Ga-Hj является в настоящее время пока наилучшим, обеспечивающим воспроизводимость при получении высококачественного материала. Он представляет собой важную прикладную научную задачу, которая рассматривается, по-видимому, в большей части работ по материаловедению для СВЧ электроники. вьшо]П1енных в течение последних 15 лет. Такое предпочтение является результатом опыта, накопленного в течение периода его применения. По этим причинам эпитаксиальный метод получения материала для GaAs ПТШ является основным промышленным процессом.

В заключение необходимо отметить использовапие и ионной имплантации для получения активных слоев ПТШ при промышленном выпуске приборов. Это уже дшго превосходные результаты. Однако только эпитаксиальные процессы роста позволяют получать гетероструктуры, более толстые слои и многослойные структуры с различными уровнями легирования.



ГЛАВА 3

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ СЛОЕВ ДЛЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ СВЧ

К. Е. К. Вуд

В течение последних лет GaAs убедительно оправдал возлагаемые на него надежды и проявил себя как уникальный материал для применения в актив-пых СВЧ и оптических приборах многих типов. Полевые транзисторы явля-

Кориеллский университет, Итака, шт Нью-Йорк, США





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 [16] 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165

0.0037