Главная Промышленная автоматика.

случае, например, сюда можно отнести вариант программируемой логической матрицы, характер функционирования отдельных элементов которой будет определяться небольшим количеством внешних аналоговых сигналов управления. В наиболее сложном варианте потенциальные возможности в информационной емкости, которыми обладают подобные высококонкурентные системы, могут быть использованы для обработки сигналов в аналоговой форме, что предполагает их широкое применение при создании искусственного интеллекта. Другая область применения, например в биоэлектронике, уже обсуждалась ранее [47].

18.6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Показано, что существуют некоторые физические факторы, которые могут установить конечные ограничения на развитие обычной электроники. Уже ясно, что пределом хорошо развитой технологии МДП интегральных микросхем на кремнии является длина затвора около 0,1 мкм. Разработка новых материалов и гетероструктур обещает создание многих новых элементов, а революционные изменения в области проектирования систем, направленные на развитие их высококонкурентных архитектур, вызовут новые проблемы обеспечения надежности, что, в свою очередь, радикально изменит принципы построения. Далее, когда технология позволит приблизиться к уровню сложности биологических систем, на повестку дня встанет вопрос о необходимых изменениях в принципах организации микроэлектроники, если мы вообще когда-нибудь сумеем создать системы обработки информации с параметрами, сравнимыми с аналогичными параметрами глаза или мозга.

Технологические проблемы бросают вызов, но их решение обещает огромные перспективы для будущего электроники.



список ЛИТЕРАТУРЫ

К главе 1

[1] Allen, J.W., Nature, 187:403, 1960. [2] Bube, R.H.,y. Appl. Pbys., 31:315, 1960. [31 Gooch. C.H., C. Hilsum, and B.R. Holeman, J. Appl. Phys., 32:2069, 1961.

[41 Haisty, R.W., E.W. Mehal, and R. Stratton, J. Phys. Chem.

Solids, 23:829, 1962. [5] Kulsreshta, A.P., and A.E. Yunovich, Sov. Phys. -Solid State,

7:2058, 1966.

[61 Woods, J.F., and N.G. Ainslie, / Appl. Phys , 34:1469, 1963. [71 ood2M, Electro chem. Technol, 2:167, 1964. [8] Cronin, G.R., and R.W. Haisty, / Electrochem. Soc, 111: 874, 1964.

[9] Slaymaker, N.A., and J.A. Turner, Free. 1st European Microwave Conf., A.5.1, 1973. [10] Nozaki, Т., M. Ogawa, H. Terao, and H. Watanabe in Gallium

Arsenide and Related Compounds (Deauville) 1974 (Inst.

Phys. Conf. Ser. no. 24) p. 46. London: Adam Helger/The

Institute of Physics, 1975. [11] Ross, S.F., and M. Jaros, Phys. Lett., 45A:355, 1973. [12] Blanc.J., andL.R. Weisberg, NafMr, 192:155, 1961. [13] Turner, W.J., G.D. Pettit, and N.G. Ainslie, J. Appl. Phys ,

34:3274, 1963. [14] Stocker, H.J., Solid State Comm., 16:525, 1975. [15] Lin, A.L., E. Omelianovski, and R.H. Bube, J. Appl. Phys.,

47:1852, 1976. [16] Stocker, H.J., J. Appl Phys., 48:4583, 1977. [17] Vasudev, P.K., and R.H. Bube, Solid-State Electron., 21:

1095, 1978.

[18] Andrianov, D.G., E.M. Omelyanovskii, E.P. Rashevskaya, and N.I. Suchkova, Sov. Phys. Semicond., 10:637, 1976.

[19] Mircea, A., A. Mitonneau, L. Hollan, and A. Briere, Appl. Phys., 11:153, 1976.

[20] Huber, A.M., et al., J. Appl. Phys., 50:4022, 1979.

[21] Haisty, R.W. and G.R. Cronin, Proc. 7th IntI. Conf. on Physics of Semiconductors, M-4, Paris, 1964.



[22] Allen, G.A., Brit. J. Appl. Phys., 1:593, 1968.

[23] Balagurov, L.A., E.M. Omdyanovskii, and L. Ya. Pervova,

Sov. Phys. Semicond., 8:1051, 1975. [24] Panish, M.B. and H.C. Casey, Jr., J. Appl. Phys., 40:163,

1969.

[25] Look, D.C.,y. Phys. Chem. Solids, 36:1311, 1975.

[26] Betko, J., and K. Merinsky, / Appl. Phys., 50:4212, 1979.

[27] Ippolitova, G.K., E.M. Omelyanovskii, and L. Ya. Pervova,

Sov. Phys. Semicond., 9:864, 1976. [28] Lin, A.L., and R.H. Bube, J. Appl. Phys., 47:1859, 1976. [29] Ganapolskii, E.M., Sov. Phys. Solid State, 16:1868, 1975. [30] Vallin, J.T., and G.D. Watkins, Phys. Rev., B9:2051, 1974. [31] Kaufmann, U., and J. Schneider, Solid State Comm., 20:143,

1976.

[32] Река, G.P., and Yu. I. Karkhanin, Sov. Phys. Semicond., 6:261, 1972.

[33] Koschel, W.H., S.G. Bishop, and B.D. McCombe, Solid State

Comm., 19:521, 1976. [34] Stocker, H.J., and M. Schmidt, / Appl. Phys., 47:2450,

1976.

[35] Plesiewicz, W., J. Phys. Chem. Solids, 38:1079, 1977.

[36] Stauss, G.H., and J.J. Krebs in Gallium Arsenide and Related

Compounds (Edinburgh) 1976 (Inst. Phys. Conf. Ser. no.

33a) p. 84. London: Adam Helger/The Institute of Physics,

1977.

[37] White, A.M., P. Porteous, and P.J. Dean, J. Electron. Mater, 5:91, 1976.

[38] White, A.M., P.J. Dean, and P. Porteous, J. Appl. Phys., 47: 3230, 1976.

[39] Inoue, Т., andM. Ohyama, 5o/z<iSfatCoww., 8:1309, 1970. [40] Zucca, R.,y. Appl. Phys., 48:1987, 1977. [41] Harper, J.G., H.E. Matthews, and R.H. Bube, J. Appl. Phys., 41:3182, 1970.

[42] Lang, D.V., and R.A. Logan, J. Electron. Mater., 4:1053, 1975.

[43] Milnes, A.G., Deep Impurities in Semiconductors. New York:

John Wiley & Sons, 1973. [44] Masterov, V.F., and B.E. Samorukov, Sov. Phys. Semicond.,

12:363, 1978.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 [147] 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165

0.0055