Главная Промышленная автоматика.

данном разделе, может позволить на порядок уменьшить входной ток смещения, не ухудшая напряжения сдвига или скорости.

На фиг. 3.28 показан мри-транзистор, который смещается током эмиттера Iq. Ток базы транзистора Q равен

fa

(3.42)

при hpE" 1. В дифференциальном усилителе ток базы определяет параметры входного смещения и тока сдвига. Наиболее

Фиг. 3.28. Метод смещения с помощью Фиг. 3.29. Схема для уменьшения псточннка тока. тока смещения базы.

hpE + l при hp£»l.

очевидный путь уменьшения /д состоит в уменьшении Iq или увеличении hpE- Снижение тока Iq уменьшает усиление каскада и снижает скорость нарастания. Транзисторы со сверхвысоким значением р позволяют увеличить hpE, но ценой уменьшения напряжений пробоя.

С помощью схемы, показанной на фиг. 3.29, можно увеличить эффективное значение hpE транзистора Qi за счет взаимной компенсации токов смещения баз рпр- и п/?«-транзисторов Qi и Qi- Для того чтобы схема работала соответствующим образом, транзистор Qi должен быть точно согласован с транзистором Ог, а Qs должен быть согласован с Qt. Если принять.



Кроме того, имеем

/вх + /в4 = /в1. (3.45)

После некоторых алгебраических упрощений получим требуемый результат:

/..(l-il). (3.46)

"fE\ "FE2"FEi /

Таким образом, мы видим, что этот метод увеличивает эффективное значение транзистора в {\ - hFE\hFEzlhFE2hFEi)~ раз.

Если снять предположение о том, что Нее I, то точное выражение для /их будет следующим:

/вх=,

Успешное осуществление этого метода компенсации требует близкого согласования между транзисторами Qi и Qa и между q2 и Qi. Перегруппировав члены {Нее2+) и (/Jfe4+1), мы можем приближенно переписать уравнение (3.47) в виде

х( + )(-)]-

где AhpEN и AhpEp представляют соответствующие рассогласования между прп- и рир-транзисторными парами. При типичном значении hpE 100 и согласовании между транзисторами, равном

5 о/о, (3.49)

входной ТОК становится равным

Как видно из этого соотношения, входной ток уменьшается на порядок. Можно показать, что входное дифференциальное сопротивление увеличивается во столько же раз.

ЧТО ДЛЯ всех транзисторов hpE I, то можно записать

/о л;/я2»/г.£2/в2 . (3.3)

hi = fFEsfm « hpEilBA- (3.44)



Для получения оптимального согласования транзисторов по hpE обычно необходимы некоторые дополнительные схемные изменения. В полной схеме, представленной на фиг. 3.30, четыре


<7я

Вход


Фиг. 3.30. Полная схема для уменьшения входного тока базы.

диода гарантируют, что все согласованные транзисторы имеют равные напряжения смещения коллектор - база. Кроме того, следящая связь, которая обеспечивается двухэмиттерным транзистором Qs и четырьмя диодами, минимизирует эффекты, связанные с входной емкостью,





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 [35] 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144

0.0039