Главная Промышленная автоматика.

32. Melen R., Garland R, Understanding 1С Operational Amplifiers, Sams, Indianapolis, 1971.

33. Millman J., Halkias C. C, Electronics Devices and Circuits, McGraw-Hill, New York, 1967.

34. Millman J., Halkias C. C, Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems, McGraw-Hill, New York, 1972.

35. Millman J., Taub R, Pulse, Digital and Switching Waveforms McGraw-Hill, New York, 1965.

36. Morris R. L., Miller J. R., Designing With TTL Integrated Circuits, McGraw-Hill, New York, 1971.

37. Motchenbaucher C. D., Fitchen F. C, Low Noise Electronic Design, Wiley, New York, 1973.

38. Motorola Semiconductor Products Inc., Linear Integrated Circuits Data Book, Motorola, Inc., December 1972.

39. MotorolajjiSemiconductor Products Inc., TTL Integrated Circuits Data Book, Motorola, Inc., May 1972.

40. Peatman J. В., The Design of Digital Systems, McGraw-Hill, New York, 1972.

41. Pierce J. F., Paulus T. J., Applied Electronics, Merrill, Columbus, Ohio, 1972.

42. Pierce J. F., Semiconductor Junction Devices, Merril, Columbus, Ohio, 1967.

43. Pierce J. F., Transistor Circuit Theory and Design, Merrill, Columbus, Ohio, 1963.

44. RCA Inc., Linear Integrated Circuits, RCA Corp., Technical Series IC-42, 1970.

45. RCA Inc., Linear Integrated Circuits and MOS Devices, RCA Corp. No. SSD-202, 1972.

46. Rey T. J., Automatic Phase Control: Theory and Design, Proc. IRE, 48 pp. 1760-1771 (October 1960); Corrections in Proc. IRE, March 1961. p. 590.

47. Richman D., APC Color Sine, for NTSC Color Television, IRE Convention

Record, 1953, part 4.

48. Ryder J. D., Electronic Fundamentals and Applications, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N. J., 1970.

49. Schilling D., Belove C, Electronic Circuits: Discrete and Integrated, McGraw-Hill, New York, 1968.

50. Schwartz S., Integrated Circuit Technology, McGraw-Hill, New York, 1967.

51. Sheingold D. H., Analog-Digital Conversion Handbook, Analog Devices Inc., Norwood, Mass., 1972.

52. Solomon J. E., Davis W. R., Lee P. L., A Self-Compensated Monolithic Operational Amplifier wtih Low Input Current and High Slew Rate, IEEE Internationa] Solid State Circuits Conference, Philadelphia, February 19, 1969, pp. 14-15.

53. Stewart H. E., Engineering Electronics, Allyn and Bacon, Boston, 1969.

54. Strauss L., Wave Generation and Shaping, McGraw-Hill, New York, 1970.

55. Su K. L., Active Network Synthesis, McGraw-Hill, New York, 1965.

56. Viterbi A. J., Acquisition and Tracking Behavior of Phase Locked Loops, JPL External Publication No. 673. July 14, 1959.

57. Viterbi A. J., Principles of Coherent Communication, McGraw-Hill, New York, 1966; русский перевод: Витерби Э. Дж., Принципы когерентной свя-

зи, М., «Советское радио», 1970.

58. Warner R. М., Jr., Fordemwalt J. N., Integrated Circuits; Design Principles and Fabrication, McGraw-Hill, New York, 1965.



ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Автоматическая регулировка усиления

(АРУ) 262 Алюминий 15, 21, 26, 41, 52-54 Альфа (а) 55

Анализатор амплитуды импульсов 152 Аналоговая вычислительная машина

(АВМ) 176 Аргон 21

База транзистора, коэффициент переноса 44

---толщина 32, 37

-- - удельное сопротивление 32

--формирование 29, 38

Бета (Р) 30, 43, 44, 55, 56, 62, 63, 110, 140

Бор 18

Бустер токовый 90

Водород 20

Время выборки 155, 291

- жизни неосновных носителей 43, 44

- задержки 147, 148, 208, 214 --переключения транзистора 43,

- нарастания 160, 163, 187, 206- 208, 419

~ обращения, см. Мультиплексор, параметры

- переключения 143, 146-148

- спада 208, 419

- установления 325, 328

Входное напряжение сдвига, см. Напряжение сдвига

--шумов, см. Шумов напряжение

входное

Входной ток сдвига, см. Ток сдвига

- - смещения, см. Ток смещения

--шумов, см. Ток шумов входной

Выход несимметричный 71, 86, 87,

~ с открытым коллектором ]41

Гамма-излучение 43 Генератор 264

Генератор качающейся частоты 176

- колебаний прямоугольной формы, см. Мультивибратор автоколебательный

--треугольной формы 187-189

- мостовой Вина 193, 194, 264

- управляемый (УГ) 123, 252 --напряжением (ГУН) 123, 251,

355, 367-371

--током (ГУТ) 123, 244, 253, 373,

374, 377, 383; 384, 398, 400, 406- 412, 418, 419

---коэффициент преобразования 373-380, 385, 387, 390, 394, 395, 419

Генераторы функций 176, 188, 347, 348

Двуокись кремния 14, 18, 22, 49 Двухкоординатный графопостроитель 297, 298

Демодулятор при частотной манипуляции 414

- синхронный 267 Демодуляция 366, 367, 404, 406 Демультиплексор 293, 309, 317 Детектор AM 406, 407, 415

- излучения 136

- с окном 150, 152

- уровня 150, 151, 262 -- нулевого 148-151

- фазовой ошибки 346, 347 -фазовый 119, 122, 368-373, 384,

397, 398, 406, 410-413, 417, 418

--коэффициент преобразования

373, 377-387

- ЧМ 401, 404-406 Дешифратор 359

- адреса 359

Диапазон аналоговых сигналов 303

- захвата 372, 380, 392, 394, 406, 419

- слежения (удержания) 377, 380- 382, 392, 394, 406, 419

Диод 60, 61, 178, 181

- исток -тело МОП-транзистора 128, 130

- туннельный 192



Дифференциальное входное напряжение, см. Напряжение входное дифференциальное

Дифференциальный вход 174, 270

- входной сигнал 68, 72, 75, 120, 135, 144, 162, 164

- выход 71, 140

- выходной ток, см. Ток выходной дифференциальный

- каскад, см. Каскад дифференциальный

- коэффициент усиления, см. Коэффициент усиления по напряжению для дифференциального сигнала

- усилитель, #см. Усилитель дифференциальный

--операционный, см. Усилитель

операционный дифференциальный Дифференциатор 177, 178, 194 Диффузии длина 32

- коэффициент 37 Диффузия 15, 18-20, 25

- двойная 27? 37

- тройная 21

Диэлектрическая изоляция, см. Изоляция диэлектриком

- постоянная 31, 49

Допуск на компоненты 40, 131 -- сопротивление 50

Емкость входная 236

- диффузионная, см. Емкость обедненного слоя

- затвора полевого транзистора 60

- обедненного слоя 31

- паразитная 23, 51, 173, 204, 275 ~ перехода коллектор - база 37, 57 --эмиттер - база 37, 57

- распределенная 51

- шунтирующая 48

Задержка переключения, см. Мультиплексор, параметры

Затвор полевого транзистора, емкость, см. Емкость затвора полевого транзистора

---формирование 34, 36

Захороненный слой 22, 23, 28, 29, 38, 51-54

«Защелкивание» 42, 43

Защита от короткого замыкания 98, 99, 142, 183, 201

- - перенапряжения 128-130, 173-175

Значащий разряд младший (МЗР)

325, 331,.335, 349, 351, 356 --старший (СЗР) 325, 351, 356

Зона неопределенности, см. Компаратор напряжения

Изоляция воздушная 21

- диэлектриком (ДИ) 21, 23-25, 37, 38, 43, 274, 283, 300

- ри-переходом (ПИ) 21-23, 28, 42 Интегратор 175, 176, 187, 189, 194,

197, 279, 296

Ионизирующее излучение 42, 43

Ионное внедрение 40-42

Искажение нелинейное (гармоническое) 95, 201, 406

- переходное 202, 203

Исток полевого транзистора 35 Источник питания 142

- тока 330

--с цифровым управлением 339,

Карман, см. Островки изолирующие Каскад входной 90

- выходной 89, 90, 95, 98-101 --с дополнительной симметрией

93, 400

- дифференциальный 145, 400

- усиления 89-95, 200

--тока 94, 96, 97, 118

Кислота плавиковая 15

- серная 15

Код двоично-десятичный 344 Кодер, см. Шифратор Коллектор транзистора, 27-29, 38

-- сопротивление 37

--формирование 30

Компандер 181 Компаратор напряжения

контакты

134-157,

200, 20 , 214, 253, 359, 360 362, 414

-- зона неопределенности 144

-- передаточная характеристика

--применение 148, 351, 352, 356

-- точка срабатывания верхняя

153, 154

----нижняя 153, 154

--характеристики переключения

Комплементарные МОП-транзисторы, см. МОП-транзисторы с дополнительной симметрией Корневой годограф 385-390 Коррекция частотная 92, 100, 200,

201, 204, 205, 237-240 --внешняя 94, 95





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 [141] 142 143 144

0.0039