Главная Промышленная автоматика.

МИКРОСХЕМА К175УВ4

Микросхема К175УВ4 представляет собой ДУ (рис. 2-16, а), предназначен-.•ный для усиления сигналов высокой частоты. Типовая схема включения микросхемы К175УВ4 приведена на рис. 2-16,6.. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 6,0 В. Допустимые отклонения напряжения питания от номинального значения ±10%. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К175УВ4 приведены в табл. 2-5.

С1 0,068


Я1 75

сг 0,0 ев

ИМС1

Ofl68

RS 2k

С7 иеш -Я-о

К175УВЧ

СЧ С5 4=

о,оев

0,068

Рис. 2-16. Принципиальная схема ДУ К175УВ4 (а) и типовая схема его включения (б).

Электрические параметры микросхемы К175УВ4 при номинальном напряжении питания и i?n = oo приведены в табл. 2-6. Для увеличения крутизны преобразования вольт-амперной характеристики допускается подача напряжения питания 6 В на вывод микросхемы.

Таблица 2-5

Нормы на

параметры

Наименование и обозначение параметра

не менее

не бо.1!ее

Напряжение питания на выводе 8 -fUn.n, В

Напряжение между выводами 10 и 1, 2 и 1 Uio,, Uz.u В

12,5

Входное напряжение:

дифференциальное Uex-m, В синфазное f/сф.вх, В

-2 2

4,4*

Входное напряжение по выводу 13 Увх 1з, В

• При f и.п<и.п.Еом "~ % Гсф ВХ ДОЛ"но быть уменьшено пропорционально -снижению питающего напряжения.



Параметр

Нормы на параметры .

t, "С

Режим измерения

/поТ мА.

t/e.i. в t/ii.., в

t/l2.1. в

f/i3.i, в Ut6,2, в

1.8-3.0 3.5-4,5 2.0-2.9 1,3-1,9 0.9-1.5 ±0,2

25 25

25 25 25 25

Sba, мА/В

и=10 мВ, /=1 МГц

ASba, 7о

-40-=--+10 -10-f-+40

85 -45

.Уи=10 мВ, f=0,l МГц

Кш, дБ

/=20 МГц

/Сдру дБ

f;,3=10 мВ, f=! МГц

/в, МГц

Увых = -60 дБ

МИКР0СХЕЙ1А К198УТ1

Микросхема К198УТ1 представляет собой ДУ с выходными эмиттерными повторителями иа транзисторах Т1, Т5 (рис. 2-17,о). Типовая схема включения микросхемы К198УТ1 приведена на рис. 2-17,6. Номинальные напряжения пи-

Выход Выход QS 120 О10


RB 2,5к.

-о1Ч

-и„.„

<?+и„.

10,0

К198УТ1

Рис. 2-17. Принципиальная схема ДУ К198УТ1 (а) и типовая схема его включения (б).

тания микросхемы плюс 6,3 В, минус 6,3 В. Допустимые отклонения напряжения питания от номинальных значений ±107о. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К198УТ1 приведены в табл. 2-7. В зависимости от



Т а б л !! ц а 2-7

Наименование и обозначение параметра

Нормы на параметры

не менее 1 не более

Напряжения питания:

положительного источника -bf/и.п, В

отрицательного источника -f/и.я, В Входное (дифференцкяльиое) напряжение прн /ьх=2 мА

Увх.дф, В

Синфазное Бходиое напряжение f/сф.вх, В Сопротивление нагрузки R,„ Ом

5,7 -6,9 -4

-2,5 200

6,9 -5,7 4

напря;.ксння смещения, входного тока и разности входных токов ммкросхсмы К198УТ1 делятся на группы А и Б.

Электрические параметры микросхемы К198УТ1 нри номинальных напряжениях питания и ./?„=.• ОО приведены в табл. 2-8. Коэффнциент усиления ДУ

Та.блнца 2-8

Параметр

Нормы на параметры К198УТ1

А 1 Б

i. °С

Режлм измерения

/пот, мА

f/Bx = 0

и см, мВ

±5

±!2

Д см, мкВ/°С

-45--.+25; 25-85

/и, мкА

20 35

25; 85

Л/,х, мк.Д

8 !5

25; 85 -.15

Ку и

20-70 15-80

20-70 15-80

£/вы..:й0.7 В, 17„«2-0, / =

= 10 кГц

/нык.макс, В

2,5 1 2,5 2,0 j 2,0

25; 85 45

А:г<10%, /=10 кГц

/Сос.сф, дБ

„х, = 2,5 В. {Л,х2 = -2,5 В

0,7 1 25

овых = -3 дБ

Rbk, кОм

f/„,.,x = 0.6 в. /=10 кГц

/?еых, кОм





0 1 2 3 4 5 6 [7] 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0034