МИКРОСХЕМА К175УВ4

Микросхема К175УВ4 представляет собой ДУ (рис. 2-16, а), предназначен-.•ный для усиления сигналов высокой частоты. Типовая схема включения микросхемы К175УВ4 приведена на рис. 2-16,6.. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 6,0 В. Допустимые отклонения напряжения питания от номинального значения ±10%. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К175УВ4 приведены в табл. 2-5.

С1 0,068

Я1 75

сг 0,0 ев

ИМС1

Ofl68

RS 2k

С7 иеш -Я-о

К175УВЧ

СЧ С5 4=

о,оев

0,068

Рис. 2-16. Принципиальная схема ДУ К175УВ4 (а) и типовая схема его включения (б).

Электрические параметры микросхемы К175УВ4 при номинальном напряжении питания и i?n = oo приведены в табл. 2-6. Для увеличения крутизны преобразования вольт-амперной характеристики допускается подача напряжения питания 6 В на вывод микросхемы.

Таблица 2-5

• При f и.п<и.п.Еом "~ % Гсф ВХ ДОЛ"но быть уменьшено пропорционально -снижению питающего напряжения.

МИКР0СХЕЙ1А К198УТ1

Микросхема К198УТ1 представляет собой ДУ с выходными эмиттерными повторителями иа транзисторах Т1, Т5 (рис. 2-17,о). Типовая схема включения микросхемы К198УТ1 приведена на рис. 2-17,6. Номинальные напряжения пи-

Выход Выход QS 120 О10

RB 2,5к.

-о1Ч

-и„.„

<?+и„.

10,0

К198УТ1

Рис. 2-17. Принципиальная схема ДУ К198УТ1 (а) и типовая схема его включения (б).

тания микросхемы плюс 6,3 В, минус 6,3 В. Допустимые отклонения напряжения питания от номинальных значений ±107о. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К198УТ1 приведены в табл. 2-7. В зависимости от

напря;.ксння смещения, входного тока и разности входных токов ммкросхсмы К198УТ1 делятся на группы А и Б.

Электрические параметры микросхемы К198УТ1 нри номинальных напряжениях питания и ./?„=.• ОО приведены в табл. 2-8. Коэффнциент усиления ДУ

Та.блнца 2-8