10 кГц

SD 180

Рис. .2-10. Зависимости коэффициента усиления ДУ К118УД1 от сопротивления нагрузки при различных значениях напряжений питания.

Рис. 2-9. Амплитудно-частотные и фазовая характеристики ДУ К118УД1 при различных значениях температуры окружающей среды.

Из тех же соображений не рекомендуется шунтпровать резистор \R2 ключением внешнего резистора к выводам 2 и 14.

Сопротивление нагрузки с вывода 5 илн 9 относительно корпуса рекомендуется выбирать не менее 20 кОд, в противном случае будет падать коэффициент, усиления ДУ (см. рис. 2-10).

под-

Рис. 2-11. Зависимости входного сопротивления ДУ К118УД1 от частоты входного сигнала при различных значениях температуры окружающей среды.

10-10 10 ЮкГц

МИКРОСХЕМА К175УВ2

Микросхема К175УВ2 (рис. 2-12, а) предиазначеиа для усиления сигналов преимущественно переменного тока.

Микросхема содержит в своем составе схему собственно ДУ (транзисторы 1, Т4-Т6) и два транзистора Т2 и ТЗ, иа которых возможно построение входных или выходных эмиттерных повторителей. Отсутствие коллекторных нагрузок позволяет обеспечить подключение различных избирательных цепей. Режим работы схемы по постоянному току задается при помощи цепи смещения, выполненной на транзисторе Т1 и резисторах R2 и R3. Резисторы iR6 и tR7 служат для подачи напряжения смещения в цепи баз дифференциальной пары транзисторов Т4 и Т6.

Типовая схема включения микросхемы К175УВ2 приведена на рис. 2-12, б.

Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 6,0 В. Допустимые отклонения напряжения питания от номинального значения ±10%.

• Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К175УЕ2 приведены в табл. 2-3.

в зависимости от полосы пропускания микросхемы 1<.17,5УВ2 делятся па группы А и Б. Микросхема К175УВ2А имеет верхнюю граничную частоту оклло 40 МГц, а К175УВ2Б - 55 МГц. В связи с тем, что ДУ лредназначец для работы на переменном токе, его параметры постоянного тока, такие как £Ус>.;, /г,х, А/вх и др., не контролируются.

Таблица 2-3

Наименование и обозначение параметра

Кормы на параметр :л

не более

Напряжение питания на выводе 8 +Ua.n, В Входное напряжение Uex, В Синфазное входное напряжение {/сф.вх, В Напряжение мен&у выводами 5 к 1, 4 к 1 СУа. i, Ui, i, В Ток коллектора эмиттерных повторителей /к, мА Обратное напряжение на базах транзисторов Т2, ТЗ

с, в

Рассеиваемая мощность иа одном тран.зисторе (Т2, ТЗ) при температуре окружающей среды до 85° С Ярас, мВт

3jieKTpH4ecKHe параметры микросхемы К175УВ2 при номинальном напряжении питания и i?,t = oo приведены в табл. 2-4.

Таблица 2-4

* Значение .постоянного напряжения по цепи АРУ, соответствующее началу работы электронной регулировки в корглальных условиях, от 2,1 до 2,4 В.

С1 0,088

R2 f]

.0,068

ИМС1

0,068

1,9и Ш X []Rf

иЮО ,,С8

+и„.„

R7 Зи

Овь,х -о

0,068 0,068

К175УВ2

0,068

, С6 0,068

Рис. 2-12. Принципиальная схема ДУ К175УВ2 (а) и типовая схема его включения (б).

На рнс. 2-13 приве.здна одна из возможных схем УВЧ с регулируемым коэффициентом усиления, реализованная на основе К175УВ2, а па рис. 2-14 - зависимость коэффп.циепта усиления этой схемы от управляющего напряжения.

Зависимость крутизны вольт-амперной характеристики микросхемы К175УВ2 от температуры окружающей среды приведена на рис. 2-15.

Рис. 2-13. Схема усилителя высокой частоты с регулируемым коэффициентом усиления.

Р1 300

з.г 8

Рис. 2-14. Зависимости коэффициента усиления микросхемы К175УВ2 от управляющего напряжения при различных значениях коллекторной нагрузки Т6.

-40-го о Z0 40 60"С

Рис. 2-15. Зависимость крутизны вольт-амперной характеристики микросхемы К175УВ2 от температуры окружающей среды.