(вь«+0.5)В 0,3 мА

Напряжение иа амиттерном переходе транзистора Т9 зависит от напряжения на резисторе RI] т. е. прямо пропорционально току нагрузки. Для того чтобы этот транзистор при номинальном токе нагрузки был надежно закрыт и ие влиял на работу стабилизатора, а открывался лишь /н=/пор, ток /пор должен существенно отличаться от, номинального тока нагрузки.

На графике рис. 5-16, в частности, /пор«2,2/ипм, что соответствует общепринятому еоотно1пеиию. Это гоотнонгение в некоторых пределах может быть

2,0 1,8

40 ео во °с

Рис. 5-14. Зависимость максимальной рассеиваемой мощности микросхем К142ЕН1. К142ЕН2 с дополнительным теплоотводом от температуры корпуса микросхемы.

Рис. 5-15. Типовая схема включения микросхем.

R1 5

RB 2,Чк ийь,ня=-гВ СП--о-ь

1,4 f,2

1,0 0,8

о:б:

0,4 0,1 0

V.5 1,5

Рис. 5-16. Зависимость выходного напряжения от выходного тока при включении схемы защиты от перегрузок.

01 Z3 ¥56763 том

Рис. 5-17. Зависимость относительной нестабильности по току от сопротивления резистора - датчика схемы защиты, (/(jo - нестабильность по току при сопротивлении резистора-датчика, равном нулю.)

измёкепо, ио /„ор не должен превышать максимального выходасго ковленного табл. S-I.

Включение схемн защиты ухудшает параметры стабилизатора, что иллю-стриругт p-ic 5-!?. Поэтому сопротивление резистора Л/ необходимо выбирать минимально возможным, при- этом, как уже отмечалось, /пор не должен превышать предельно допусти.мого тока нагрузка 150 мА.

Для дистакционнсго выключения стабилизатора на вывод 9 лчкросхемы необходимо подать напряжение положительной полярности. Это напряжение и резистор Во должны быть выбраны такими, чтобы ток выключения был в пределах 0,&--3 мА.

Стабилизатор с повышенисй нагрузочной способностью. Если необходимо через нагрузку пропускать ток, превышающий предельно допустимые значения, то стабилизатор дополняют внешними регулирующими" транзисторами. Схема такого стабилизатора на основе микросхемы К142ЕН2Б показана на рис. 5-18.

тг KT80SA

Рис. 5-18. Стабилизатор напряжения с повышенной нагрузочной способностью.

Отношение Д2ШЗ следует выбирать таким, чтобы при номинальном токе нагрузки ,(/„=0,5 А) напряже1ше ме?кду выводами W и .микросхемы, рассчитанное по формуле о-11= /!4+бэ2 бьшо близко к нулю (/93 ~ напряжение на миттерном переходе транзистора 7"2; Uei, }.2, Ипъ - напряжения на соответствующих резисторах). При указанных но-мина.пах резисторов и токе нагрузки 0,5 А напряжение это равно 0,04 В. Устройство зашиты устойчиво срабатывает при /пор = 1,15 А, в этот момент выходное напряжс!ше стабилизатора скачком у.меньшается до 3 В и уже при токе нагрузки /„=1,1 А стабилизатор автоматически возвращается в рабочий режим. Ток короткого замыкания около 70 мА. Нестабильность по напряжеикю 0,2% прн номинальном токе нагрузки.

Стабилизатор с раздельным питанием. При питании микросхемы по выводу 4 от отдельного стабилизированного источника питания ij можно у.\1ень-шить нестабильность по напряжению и току за счет стабилизации внутреннего опорного иапряження t/on- Для нормальной работы микросхемы необходимо выполнять условие UtVvx-

Прн питании микросхемы от отдельного источника питания с нестабильностью по напряжению 0,2% стабилизатор напряжения, собранный по типовой схеме рис. 5-4, имеет среднее значение нестабильности по напряжению 0,01 %, а по току 0,03 при изменении тока нагрузки с 5 до 50 мА, т. е. нестабильность по напряжению и току уменьшились в среднем на порядок.

Однако такой способ улучшения параметров стабилизатора из-за наличия дополнительного стабилизированного источника питания в большинстве случаев кеприемлем. За счет различных схемотехнических приемов включения микросхемы н ее внешних элементов можно улучшить некоторые выходные электрические параметры стабилизаторов по сравнению с параметрами табл. 5-2. Это будет пок.":зано иа последующих схемах применения ИМС К142ЕИ1, К142ЕН2.

Стабилизатор напряжения р улучшенными выходными нарааЕетрами, До-сто,инством этого стабилизатора пд сравнению с предыдущими является лучшая стабилизация по напряжению и току. Достигается это за счет замены резистнв-ного делителя делителем, состоящим нз стабилитрона Д2 и резистора R3 (рис. 5-19). Изменение выходного напряжения стабилизатора Двых связано

+ 0-

ИМС1

K142EH1

кшЕнг

Дг Д8ПБ

-0 +

-о -

Рис. 5-19. Стабилизатор с улучшенными выходными параметрами.

с параметрам.и делителя и усилителя цепи обратной связи следующим соотношением:

R3 + R R3

где At/м - чувствительность цепи обратной связи по напряжению; iR - динамическое сопротивление стабилитрона Д2.

Практически Rn<S.R3, поэтому ДС/выхйА/м, т. е. изменение вы.ходного напряжения стабилизатора приблизительно равно чувствительности цепи обратной связи.

Выходное напряжение стабилизатора определяется уравнением

где {/д2 - напряжение стабилизации стабилитрона Д2; Van - внутреннее опорное напряжение ИМС.

Так как напряжения iln и дг имеют разброс, то для получения заданной величины и вых. в схему введен подстроечный резистор R2, при этом значение

Двых увеличивается на величину Ui,,-~~. Следовательно, для получения

лучших значений нестабильности выходного напряжения необходимо уменьшать сопротивление резистора R2, которое определяется по формуле

?2макс= 0,8 +

\ оп.мин /

где ДУ разброс напряження стабилизации стабилитрона Д2; Ооп.мин -

минимальное значение внутреннего опорного напряження ИМС. Сопротивление резистора R3 определяется из условия

nit типач

д2мин

где /п2мин ~ минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона Д2.

Для зашиты микросхемы в момент отключения входного напряжения в схему введен диод Д/.