Электрические параметры микросхемы КИ8УД1 при номинальных напряжениях П!!та11ня и Я,. = ОО приведены в табл. 2-2.

Зависимости э.зектрнческих параметров ДУ К118УД1 от режимов применения и температуры окружающей среды приведены на рис. 2-5 - 2-11.-

Выход 1 5о

Рис. 2-4. Принципиальная схема ДУ К118УД1 (а) и типовая схема его включения (б)

Задание режима ГСТ

Таблица 2-1

Первым подключается -)-t7,i„, а вторым -V если нельзя обеспечить одновременное их подключение, а затем подаются в.ходные сигналы. Выключение следует производить в обратной последовательности или одновременно.

* При Ги.пи.п.ном~ 1сф.вх должны быть уменьшены пропорционально

понижению питающих напряжений.

Токи потребления (рис. 2-5), а также коэффициент усиления ДУ К118УД1 уменьшаются пропорционально-уменьшению питающих напряжений.

Коэффициент усиления ДУ прямо пропорционален току ГСТ, который в свою Очередь зависит от тока, протекающего в цепи смешения. Ток смещения зависит от способа подключения выводов 8 и 11 цепи смещения и напряжения источников питания. Из рис. 2-8 видно, что максимальный коэффициент усиления схем достигается при подключении вывода 8 к положительному источнику питания. При заземлении вывода 11 коэффициент усиления почти не изменяется. В это время нет потреб.чения тока от положительного источника питания цепью смеще-

Таблица 2-2

иия. Оптимальным режимом работы микросхемы считается режим при заземленном выводе 11, при этом через цепь смеще.шя протекают токи; для микросхем группы А

/см -

и.

эбгз

4,0 В -0,7 В

= 0,65 мА;

R3-\-R4 ~ 4,0 кОм + 1,7 кОм

для микросхем групп Б и В, у которых Уи.п = ±6,3 В, ток смешения ГСТ, рассчитанный по той же формуле, будет равен приблизительно 1 мА.

В связи с тем, что значения сопротивлений резисторов R2 и iR4 примерно равны, то ток, протекающий в цепи ГСТ, будет также практически равен току в цепн смещения.

Часто, стремясь повысить коэффициент усиления схемы, пытаются увеличат?, ток ГСТ путем параллельного соединения внутренних резисторов микросхемы R3 и R6 (замыкают выводы 8 и 12, вывод заземляют).

При sTOM через цепь смещения ГСТ потечет ток, превышающий номинальный для микросхем групп Б и В:

6,3 - 0,7

R3 + R6\\R3 1,7+ 4-5,7/(4-}-5,7)

; 1,4 мА.

В нспн источника неизменного тока будет протекать ток такого же значения, а суммарный ток потребления от отрицательного источника питания (ток

мА Z.P

1,2 0,8

-го о W 40 во .г

3*4 5 е 3

Рнс. 2-5. Зависимость тока

потребления ДУК118УД1Б, жения смещения ,и входного К118УД1В от напряжений тока ДУ К118УД1 от темпера-питания.

Рнс. 2-6. Зависимости напряжения смещения , и bxoj тока ДУ KI18УД1 от тем туры окружающей среды.

через вывод 14) будет составлять 2,8 мА. Из энергетических соображений и, следовательно, надежности схемы не рекомендуется превышение тока потребления по выводу 14 больше 2,5 мА для микросхем групп Б, В и 2 мА для микросхем группы А.

-го о го 40 ео с

-20 о ZD 40 во во "С-

Рис. 2-7. Зависимости разно- Рис. 2-8. Зависимости коэффн-сти входных Токов и выходио- циента усиления ДУ К118УД1 го сопротивления ДУ К118УД1 от температуры окружающей от температуры окружающей среды при различных режимах среды. ГСТ.

/ - вывод 8 подключен к -bt/,i.n 2 - вывод заземлен; 3 - вывод В заземлен.