Главная Промышленная автоматика.

шал величины, ограничеииой графиком рис. 5-13, для конкретны.х значений Uax-fobix. На графике области выше кривых нерабочие, так как в этих областях

г>Р

8 Вт при t= -45-=- -j-55 °С; 55 Вт при -f85 °С.

иВых

tern- w

*•

-r /

10 w

1. 1 Al At

=10,0мкФ

10 10

Рис. 5-9. Форма напряжения иа выходе стабилизатора пр импульсном изменении тока нагрузки (а), зависимости выброса напряжения на выходе стабилизатора при импульсном изменении тока нагрузки от емкости С2 (б) и времени установления выходного напряления от емкости С2 при импульсном изменении тока нагрузки (в).

eo.\-i

нтвт

ктвнг

0,01 0,1 1 10 10 кГц

Рис. 5-10. Зависимость относк- тельной нестабильности по напряжению от частоты пульсаций. .

10 10 кГц

Рис. 5-11. Зависимость коэффициента сглаживания пульсаций от частоты пульсаций.



Нзименование и обозначение параметра

Нормы ка параметры

Максимальное входное напряжение вх.мако в интервале температур окружающей среды от минус 45 до Ч-еаХ при

Ррас Ррас .макс, В:

для микросхем К142ЕН1А-К142ЕН1Г для микросхем iK142EH2A - К142ЕН2Г Минимальное входное напряжение t/вх.мнн в интервале температур окружающей среды от минус 45 до -f85°C при

Ррас Ррас.манс, В:

для микросхем К142ЕН1А - К142ЕН1Г для микросхем ,К142ЕН2А - К142ЕН2Г Максимальный ток нагрузки /н.макс для всех микросхем (с учетом тока внешнего делителя) для iscero диапазона входных и выходных напряжений прн Ррас =ё:Ррас.маь-с, 7" = 25 "С,

Максимальная рассеиваемая мощяость для всех микросхем Вт:

при температуре окружающей среды от минус 45 °С до -f .35 "С

при температуре отгружающей среды !-Ь85°С Максимальная импульсная рассеиваемая мощность для всех микросхем при длительности импульса I с с периодом повторения не Менее i5 мин Ррас.и.макс, Вт

20 40

9* 20

0,8 0,55

.макс

* Разрешается использовать микросхемы К142ЕН1А - KHiEHir при минимальном входном напряжении Ugj-5,5 В в схеме с дополнительным источником питающего напря-

жен1!Я не менее 9 B:U„

„, подключаемым к выводам 4, 8.

** В интервале температур от -н55 до -Ь85° С 1/рас.макс снижается по линейному закону.

При работе микросхем с теплоотводом они могут рассеивать мощность, ограниченную графикол! рис. Б-14. Температура корпуса микросхемы определяется в месте крепления корпуса микросхемы к теплоотводу.

Схемы применения. Типовая схема включения. Типовая схема включения ИМС К142ЕН1, К142ЕН2 приведена на ркс. 5-1.5. Как видно из рисунка, она

-zo о W W БОвОЮОС

Рис. 5-12. Зависимость тока потерь от температуры окружающей среды.

ПО W0 80 60 40

10 ts го Z5 в

Рис. 5-13. Зависимость тока нагрузки от падения напряжения на микросхеме.

I - при температуре окружающей сре.цы от минус 45 до -bSSt; 2-при температуре окружающей среды -Ь85° С.



Пнрамстр

Нормы па параметры

t, °с

Режим измерения

ki42eh1 j ki42eh2

абв)г)л)бвг

Кг. %

0,3 0,1 0.5 0,5

f/„x= IQ-, 20 В, У.,ь.х = 3; 12 В, /„=50 мЛ

/„ = 35 мА

0,5 0,2 0,8 0;8

-1-85

0,3 0.1 0,5 0.5 0.5 0,2 0,8 0,8

25 -45

-i-85

С/„х=20; 40 В, C/,„.,v=12; 30 В, /„ = 50 мА

/„ = 35 мА

К,. %

0,5 0,2 2,0 1,0

0,5 0.2 2,0 1,0

f/„x=16,5 В, t/„b,x=l2 В. /„=5-ь50 мА

0,01 0,01 0,05 0,05

0,01 0,01 0,05 0,05

+85 -45

t/„x=I2 В

/„, мЛ

4,0 4,0 4,0 4,0.

Lv = 20 В, 1/к,.,х=12 В

4,0 4,0 4,0 4,0

t/Bx = 40 В, t/„b,x=30 В

отличается от схемы включения ИМС при измерении электрических параметроп (СМ- рис. 5-4) лишь те.м. что в ней включены схема зашиты стабилизатора от перегрузок по току нагрузки и схема дистанционного выключения сгабилизато-ра. При номинальном токе нагрузки /„.„„м напряжение на эмиттером переходе транзистора Т9, рис. 5-3 (между выводами !0 и микросхемы), определяемое выражением

бэ9 ~ 10-11 Ui

близко к нулю и закрытый транзистор ГР не оказывает никакого влияния ча js;i6oTy стабилизатора (V - напряжение на эмиттерном переходе транзистора Тб; Vru Unt, V,n - падение напряжения иа соответствующих резисторах). Как только ток нагрузки превысит пороговое значение /„„р. определяемое сопротивлением ./?/, транзистор Т9 начинает открываться. Напряжение на базе 11егулирующего транзистора при этом уменьшается и он начинает закрываться, цто приводит к уменьшению тока нагрузки. Зависимость выходного напряжения от выходного тока показана на рис. 5-16. При коротком за.мыкании выхода стабилизатора через регулирующий транзистор протекает ток /„...,. При уменьшении нагрузки выходное напряжение стабилизатора благодаря наличию остаточного тока /„ ;, начинает увеличиваться, из-за чего напряжение на эмиттерном переходе транзистора Т9 уменьшается и он начинает закрываться, а транзисторы Т6, Т7 - открываться. Наличие остаточного тока через регулирующий транзистор нссле срабатывания устройства защиты обеспечивает надежный автоматический возврат стабилизатора в рабочий режим после снятия перегрузки. Сопротивление резистора RI, R5 рассчитывают по формулам:

/./=мв. . ; .=.

•пор





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 [49] 50 51 52

0.0034