Табл иц а 4-53

Таблица 4-54

Эквивалентное сопротивление контура гетеродина, подключаемого к выводу И микросхемы, должно выбираться в пределах 180-250 Ом из условия обес-печрния требуемой стабильности частоты.

Стабильность частоты гетеродина повышается при. уменьшении эквивалентного сопротивления, увеличении добротности контура и выборе частоты гетеродина ниже частоты принимаемого сигнала. При необходимости ловышения стабильности частоть! гетеродина рекомендуется выбирать иапряжение питания микросхемы вблизи верхнего предела.

Для исключения влияния входного сигнала на частоту гетеродина рекомеп-дуетсяБ контур УВЧ ставить германиевый диод Д1 (рис. 4-85, б). Эквивалентное сопротивление нагрузки смесителя между выводами 8 и 9 микрсюхемы должно выбираться в преде;чах 2-10 кОм в зависимости от требуемого усиления.

МИКРОСХЕМА К2ЖА376

Микросхема К2ЖА376 представляет собой усилитель промежуточной частоты ЧМ сигналов с детектором (рис. 4-86, а). Типовая схема включения микросхемы К2ЖА376 в качестве "усилителя-ограничителя ЧМ сигнала и квадратурного детектора частоты10,7 МГц приведена на рис. 4-86, б. Номинальное иапряжение микросхемы плюс 6 В. Допустимью отклонения питающего напряжения от номинального плюс 4 В, минус 1 В. Предельно допустимые режимы эксплуатации транзисторов микросхемы К2ЖА376 при использовании ее в схеме, отличной от схемы иа рис. 4-61, б, приведены в табл. 4-55.

.. Таблица 4-55

Наименование и обозиаченйе параметра

Нормы на параметры

Для усилительной части ИМС (Т1-Т4, рис. 4-86fi)

Напряжение коллектор-эмиттер U jg.* . -Напряжение коллектор-база t/j.B • •

Напряжение база-эмиттер t/gg,B

Ток коллектора/к, мА . " ,

Мощность, рассеиваемая на коллекторе, Рк, мВт

Для детекторной части (Т5-ТВ) Напряжение коллектор-база /кБ>В Ток коллектора 1к, мА

10 10 4

20 Г5

15.. 10

Злёктричёские парйметры микросхемы К2ЖА376 приведены в табл. 4-56.

Применительно к схеме рис. 4-86, б в выходном каскаде усилителя • (Т4, рис. 4-86, а) режим одностороннего ограничения наступает при входном сигнале свыше \ мВ. Контур LtC2, подключенный между выводами 4 и 10, обеспечивает симметричное и противофазное возбуждение транзисторов детектора Т5, Т7. Согласование усилителя с детектором достигается путем частичного включения контура L1C2 во входную цепь детектора.

Вход R1 Ю

Общий 20

J 1Z6 ЬЮ

R11 2к

SR10 Г

-off

о7

~о11

ИМС1 13

3300

Лс2 J27

L1 6,5шГн Мр!-»

6,8 9

680 в

КгЖА376

ин.п

\гоо

СВ 3300

3300

06 50,0

50,0

вы>. h4

3300

Рис. 4-86, Принципиальная схема микросхемы К2Л376 (а) и типовая схема ее вклгочепня (б).

Оптимальное частотное детектирование достигается тогда, когда транзисторы Т6, Т8 детектора возбуждаются, сигналом, сдвинутым по фазе на 90° отно-снтельио сигнала в транзисторах Т5,.Т7. Для получения необходимого фазового сдвига между сигналами в схеме рис. 4-86, б использован контур L2C7 н конденсатор С5. При подобном вьшолне11ИИ фазосдвигагощей цепи номииаль! ее эломс1т)в.следует выбирать близкими к указанным lia рис. 4-86, б.

Резоиаисиые цепи детектора настраиваются на центральную промежуточную частоту, причем полоса пропускаиия определяется в основном добротностью контура L2C7. Для снижение нелинейных искажений рекомендуется этот контур дополнительно шунтировать.

Напряжение на резисторе R11 (Выводы 7, 8 ИМС, рис. 4-86, а) имеет практически постоянное значение (На центральной частоте снгмала) при изменении напряження питания в пределах 5-9 В. Отклонение частоты сигнала в ту или иную сторону сопровождается соответствующим изменением этого напряжения, в связи.с чем это лапряжение можно использовать в схеме АПЧ, а также в схеме индикации точной настройки.