Главная Промышленная автоматика.

уменьшении экнииалентного сонротимишя нарушаются условия самовоз.буж-деннн, а при увеличении - нонижается стабильность частоты. При необходимости повышения стабилыюсти частоты гетеродина рекомендуется выбирать напряжение питания микросхемы вблизи верхнего предела. Неудачное конструктивное выполнение катушки гетеродинного контура может привести к возн.чкно-

Таблица 4-47

Пгммс-нованис параметра

Максимальны11 ток нагрузки через вывод N микросхемы /„ и, мА Максимальное напряжение на выводах 9, 10. tl, 12, IS относительно выводов 2 и 7 микросхемы, В

Мормы на параметры

10 10

нению паразитных колебаний. Частота атих колебаний определяется индуктивностью рассеяния обмотки связи контура с микросхемой (при этом учитываются соединительные проводники), а также емкостью монтажа (вместе с входной емкостью микросхемы между выводами 5, 8). Если уменьшение индуктивности рассеяния (достигается сближением витков обеих обмоток катушки, а также рааположеннем об.мотки связи у заземленного вывода основной обмотки) окажется неэффективным, то следует включить подавляюи;ую н.опочку RI, С8 непосредственно между выводами 5 и S микросхемы. Значения элементов цепочки должны быть выбраны так, чтобы эквивалентное сопротивление паразитного контура на собственной частоте не превышало 1,4 кОм.

Таблица 4-48

Параметр

Нормы на параметры

/. "С

Режим измерения

/пот,. мЛ

-f25

3,5-5,5

-h55

С„.„=10 В, С/„х=0

1,2-2.2

„..,=3,6 В, t;„x=o

150-350

/?э.ш 10-12=10 кОм, /" = 0,1.5 МГц

180-550

--55

и„.„ = \о В

R:»<,, 10-12- И) кОм,

/ = 0,15 МГц

100-400

(./„.„ = 3,6 в

и МГц

/(„рл., = -5 дГ>

К\... дБ

Ur*-*, мВ

300 -500. I +25 !/.= 15 МГц, /;эк,.5-а=4 кОм

* Определяется аналогично, как для микросхемы K157XAI. ** Мапряжоп;!! гетеродина.

Приняв емкость монтажа и входную емкость микросхемы равной 10 пФ п задавшись /?/=680 Ом, значение шунтирующей емкости CS, пФ. можно определить по формуле

CS = 0,5r.,(l + ]/l+)

где L, - индуктивность рассеяния обмотки связи, измеренная в точках подключения к микросхеме. мкГ.ч. При выборе элементов цепочки RI, С8 следует учитывать ее шунтирующее действие на осиопной частоте гетеродина. jgj.



Чтобы напряжение гетеродина пе проникало на выход смесителя 1выводы 10, 12 микросхемы), выполненного по балансной схеме, и соответственно на вход усилителя промежуточной частоты, необходимо, чтобы обмотки катушки L3 были симметричны относительно среднего вывода, что достигается- их одновременной намоткой в два провода. В правильно спроектированной схеме (рис. 4-81, б) напряжение гетеродина на выводах 10 и 12 относительно общей шииы не должно превышать 100-200 мВ во всем частотном диапазоне гетеродина.

Эквивалеитное сопротивление контура смесителя (между выводами 10 и 12 микросхемы) с учетом подключаемой нагрузки (обычно фильтра с входным сопротивление 1,2 кОм) желательно выбирать порядка 10 к0.ад. Параметры ре-жекторного контура С/, L1 .необходимо выбирать таким образом, чтобы он обеспечивал эффективное подавление частоты 465 кГц, т. е. сопротивление на этой частоте должно быть значительно меньше сопротивления нагрузки УВЧ, равного приблизительно 350 Ом. В то же время иа частотах, наиболее близких к промежуточной, в диапазонах ДВ (408 кГц) и СВ (525 кГц) контур ие должен заметно шунтировать нагрузку УВЧ.

МИКРОСХЕМА К2ЖА372

Микросхема К2ЖА372 представляет собой усилитель промежуточной. частоты с детектором (рис. 4-82, а). Типовая схема включения микросхемы К2Ж.А372 в качестве УПЧ 465 кГц с AM детектором приведена иа рис. 4-82, б. Номнналь-


ИМС1

+ CZ 1,0

сз„гзоо г

Чвх ПЧ о-

кгжА37г

3300 S

дС7 - 0,015

R4 г,2к

Ri\[ \\RZ.\\f(3 Ф!;

ЧвыхНЧ -о

Рис. 4-82. Принципиальная схема микросхемы К2ЖА372 (а) и типовая схема ее включения (б).



ное напряжение питання микросхемы плюс 5 В. Допустимые отклонения питающего напряжения от номинального плюс 1 В, минус 1,4 В.

Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К2ЖА372 при использовании ее в схеме включения, отличной от схемы на рис. 4-82, б, приведены в табл. 4-49.

Таблица 4-49

Наименование параметра

Нормы на napareтpы

Напряжение источника питания f/и.п, В

Напряжение между выводами И и Ю, В

Ток нагрузки через вывод 13 микросхемы, мА

1.5 1.5

Электрические параметры микросхемы К2ЖА373 приведены в тавл. 4-50.

Сопротивление резистора R1 (рис. 4-82, б) подбирают в отсутствие входного сигнала таким образом, чтобы напряжение на конденсаторе С8 стало равным 0,3±0,05 В. Отметка о значении сопротивления резистора, подключаемого к выводу 5 микросхемы, делается в индивидуальных паспортах микросхем.

Таблица 4-50

Параметр

Нагрузка

t, С

Режим измерения

/пот, МА

t/„.n=5 В.

1200 - 2500

„.п=6 В

f=465 кГц, /•"-400 Гц, т=30%, /?н = оо

790-1880

f/„.„=3,6 В

Д вых, дБ

Д6вх=0,0б-=-3 мВ

f/i3(fBbii ару), в

3,0-4,5

вх=0, /?1з-5=3,9 кОм

Кг, %

f/Bx=0,3 В

R„K, Ом

430-1000

f/„.„=5 В. f=4€5 кГц, F=400 Гц,

/71=30%, RbCX,

Для улучшения качественных показателей усилителя рекомендуется включать одиночный контур или полосовой фильтр между выводами 14 и 2 илн 14 и 3 микросхемы в соответствии с рис. 4-83. Выводы 2, 14 3, 14 будут оказывать шунтирующее действие иа контур, эквивалентное сопротивлению 1,5-2 кОм. Для уменьшения нелинейных искажений в области низких звуко-

НгЖАШ

КгЖА372

Рис. 4-83. Примеры подключения одиночного контура к микросхеме К2ЖА372.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 [44] 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0042