Таблица 4-43

Наименование и обозначение параметра

Нормы На параметры

И а пря жеийе коллектор-эмиттер,

Напряжение коллектор-база f/jg. В Напряжение база-эмиттер fpg. В Ток коллектора /к, мА

5 3,5 15

Таблица 4-44

» Напряжение шумоп на выходе микросхемы (ие приведенное к входу).

МИКРОСХЕМА К2УС373

Микросхема К2УС375 представляет собой усилитель промежуточной частоты (рис. 4-80, а). Типовая схема включения микросхемы К2УС375 приведена на рис. 4-80, б. Номинальное иалряжение питания микросхемы плюс 6 В. Допустимые Ьтклонеция питающего напряжения от номинального плюс 4 В, минус 1 В.

59 10Q 120+и„„

-о Рис. 4-80. Принципиальная схема микросхемы К2УС375 (а) и типовая ехема ее об включения (б).

Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К2УС375 приведены в табл. 4-45.

Электрические параметры микросхемы К2УС375 при номинальном напряжении питания я Rb=°o приведены в табл. 4-46.

Напряжение питания допускаетси подводить непосредственно к выводу микросхемы. В этом случае его значение рекомендуется выбирать в пределах 5-8 В.

Для уменьшения уровня шумов усилителя рекомендуется сужать его полосу, включая LC-KOHTyp между выводами 9 № 11. При этом выводы 9 и 10 долж ны быть разъединены. Значение напряжения пихания на выводе 11 в этом случае может быть понижено до 4 В. Выходной каскад усилителя, {транзистор Т4, рис. 4-80, а) при выходном напряжении волее 180 мВ работает с односторонней отсечкой. Включая £С-контур между выводами 8-11, можно обеспечить симметричную .форму выходного напряжения с одновременным сужением полосы пропускания.

Та б лиц а. 4-45

Наименование параметра

Нормы на параметры

Напряжение на в1з1водах 9, 10, 11, 12, 13- и 14 микросхемы, В Напряжение на выводах 1 н 2 (относительно вывода 3), В Ток нагрузки (через вывод 8) 1и, мА

10 4 10

Таблица 4-46

МИКРОСХЕМА К2ЖА371

JVlHKpocxewa К2ЖА371 представляет собой усилитель высокой частоты , с преобразователем (рис. 4-81. а). Типовая схема включения микросхемы К2ЖА371 в качестве УВЧ. смесителя и гетеродина приведена иа рис. 4-81. б. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 5 В. Допустимь№ отклонения питающего напряжении от номинального плюс 5 В, минус 1,4 В. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К2ЖА371 при использовании ее в схеме включения, отличной от схемы на рис. 4-81, б, приведены в табл. 4-47.

Электрические параметры микросхемы К2ЖА37!1 при номинальном .напряжении питания и</дру=5 В приведены в табл. 4-48.

Усилитель высокой частоты (транзистор Т1, рис. 4-81, а) может -вьшолнять-ея как с резонансной, так и нерезоиансиой. нагруакой. В последнем случае, внут-

реинее сопротивление источника сигнала должно находиться в пределах 500 Ом - 1 кОм, если требуется получить оптимальные шумовые характеристики схемы. Для снижения уровня собственных шумов усилителя высокой частоты рекомендуется исполь-зовать режекторный фильтр С/, Lt. как показано на схеме рис. 4-81, б. Использование режекторн1>го фильтра повншагт устойчивость по промежуточной частоте.

Гетеродин для упрощения коммутации в многодианазогшых устройства.ч выполнен ло схеме с отрицательным сопротивлением (транзисторы Т4, Тв, рис. 4-81, а). Амплитуда колебаний стабилизирована транзистором ТЗ. Эквивалентное сопротивление гетеродинного контура L4, СЮ (рис. 4-81, б), приведенное к выводам 5, 8 микросхемы, рекомендуется выбирать 4-10 кОм. При

С7 0,033

сб ггоо

-L 6)

Контур гетеродина.

Рнс. 4-81. Прцииппиальная схема мйкрос.%емы К2ЖА371 (а) и типовая схема се включсиц» (б).