Главная Промышленная автоматика.

Параметр

Нормы на параметры

i, "С

Режим изисренпя

/пот, мА

3.2 - 5.0 3,4-6.7 1.6-3.6

+25 +55 -25

S, мВ

15-30

+ 25

вых =1,8 в

и.п=5.6 в

/Сг, %

+ 25

6в«.= 2.2 в

С/вых=1,8 в

f вых= 1,3 в

вых = 0,1 в

+ 55

£/„ых=2,2 в, „.„=10 в

- 25

вых=1 в, t/.,.i, = 5,6 в

Un. в t/i3. в Uu, в

1,1-1.7 0.5-1.1 2.7-3.3

+ 25

вх=0

МИКРОСХЕМА К2УС372

Микросхема К2УС372 представляет собой усилитель низкой частоты 1рис. 4-78, а). Типовая схема включения микросхемы К2УС372 приведена па рис. 4-78. б. Схема обеспечивает выходную мощность 3 Вт. Номинальное иапряжение питания микросхемы плюс 12 В. Допустимые отклонения питающего напряжения от номинального плюс 3 В. минус 4.8 В.

Электрические пара.метры микросхемы К2УС372 при и.п=12,8 В и /?,,= =3,9 Ом приведены в табл. 4-41. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К2УС372 приведены в табл. 4-42.

Для получения максимальной выходной мощности рекомендуется подключать регулировочный резистор R3 илн R4 (рис. 4-78, б). Сопротивление регулн-

Таблица 4-41

Параметр

Нормы на параметры

Режим измерения

пот, мА

6.5 - 8.5

7.5- 10.5 3,2 - 5,0

+25 +55 -25

Lbx = 0

S, мВ

25 - 50

С;в,.,к=3.5 В

/Сг, %

вых=3.5 В

вых=0,2 В, „.„=7,2 В

/=1 кГц

[/вых=3,5 В. „.„=15 В

вых=1,8 В, /;„.п=7.2 В

вн-х=1,8 В. „.„=7,2 В

иг. В t/u..B

1.8 - 2,3 1.8 - 2,2 1.1-1.5

вх = 0

9-52



.ровочнпИ! редигтира подбирают м огсугствкс н.чолного сигнала такич обра.чом. чтобы потенциал шлвода 14 микросхемы находился и пределах 6,55-6,65 В.

Отметка о значении и месте подключения peryjmpoB04noro резистора делается аналогично, как и для микросхемь К2УС371. Рекомендации по подбору liJ. RIO аналогичны рекомендациям по подбору резисторов RU R3 для микро-Схемы К2УС371.


Рис. 4-78. Принципиальная схема микросхемы К2УС.372 (о) н типовая схема ее вкл10чеиия (б).

Таблица 4-42

Наименование п обозначение параметра

Нормы на параметры

Напряжение источника питания (вывод 9) Ua п, В Напряжение на выводе 7 микросхемы [/?, В Напряжение на выводе J0 микросхемы О,о, В Напряжение на выводе 14 микросхемы U,i, В

15 15 10 15



Rt Юк

Об о9


S10 20,0 "ф сг 10,0

Рнс. 1-79. Прннннннальная схема микросхемы К2УС373 (я) и тннопая счсма се включения (б).

Э.;1ектр(чсскне параметры микросхемы К2УС373 при номинальном напряженнй питания и Я„ = оо приведены в табл. 4-44.

Амплитудно-частотную характеристику усилителя можно корректировать с помощью частотно-зависимых корректирующих звеньев, включаечмых в цепь отрицательной обратной связи между выводом 2 .и входо.м (вывод 14) микросхемы. Вер.\пяя граница частотного диапазона определяется емкостями конденсаторов СЗ н С6 (см. рнс. 4-55,6). Нижняя граница частотного диапазона определяется значсипсм емкости конденсаторов С/, С2, С4, С7 н С8.

Микросхема К2УС373 представля!:! собой универсальный усилители тракта лэпись - воспроизведение аппаратуры магнитной занисн (рис. 4-79. а). Микросхема можсг быть также использована и любых .аругих устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Тигн)вая схема включении микросхемы к2УС373 приведена на рис. 4-79, 6. Номинальное напряжение ннтания микросхемы нлюс 5 В. Допусти.мые отклонения питающего напряження от номинального ±10/о. Предельно допустимые режимы эксплуатации транзисторов микросхемы К2УС373 при использовании се в схеме включения, отличной от типовой (рнс. 4-79. б), приведены в табл. 4-43.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 [42] 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0032