Главная Промышленная автоматика.

Коррекция

т 99 +о„.„


обратная Блоки- Общий, связь робка

Рис. 4-73. Принципиальная схема микросхемы К175УВ1 (а) н типовая схема ее включения (б).

Таблица 4-31

Наименование и обозначение

Нормы на

параметра

параметры

Напряжение источника питания

t/н.п, В

Амплитуда входного напряження

и.., В

Таблица 4-32

Параметр

Нормы на !1араметры

i. °с

Режим измерения

/пот, мА

3-4,5

-f25

вх = 0

-f25

(;вх=10 мВ, /=1 МГц

iKyu, %

-45; -Н-85

Кг, %

С„ых=0,5 В

К*ш, дБ

/ = 20 МГц

/?1«, кОм

/=0,1 МГц

* Коэффициент шума Кщ измеряется измерителем коэффициента шума транзисторов ИШТ-1М путем подключения его к входному транзистору Т1 микросхемы.

МИКРОСХЕМА К175УВЗ

Микросхема К175УВЗ представляет собой широкополосный усилитель с малой потребляемой мощностью, рнс. 4-74, а. Типовая схема включения микросхемы К175УВЗ приведена на рис. 4-74, б. В зависимости от крутизны вольт-ампер-иой характеристики микросхемы делятся на группы А и Б. Микросхема



Наименование и обозначение параметра

Нормы на параметры

Напряжение источника питания t/„.n, В Амплитуда импульсов входного/напряжения Ux, В Ток коллектора эмиттериого повторителя /к, мА Обратное напряжение на базе транзистора эмиттериого повторителя-ЭБ

Рассеиваемая мощность jLa транзисторе эмиттериого повторителя при температуре окружающей среды до +85 °С, Рцас мВт

6.6 2,0 2,0 3,0


ИМС1

Фильтр 5о---й.-

Обратная связь 11о

Вход 1SO

7 10

K175V83

СЧ \\гк

Фильтр

01 0,1

Рис. 4-74. Принципиальная схема микросхемы К175УВЗ (а) и типовая схема ее включения (б).

Таблица 4-34

Параметр

Йормы на K175YB3A

параметры К175УВЗБ

t, "С

Pe:i им измерения

/йот, мА

+25 . -45

Lbx=1 мВ

S*BA,. мА/В

250.

ивх=1 мВ, /=465 кГц

Д5в.1, %

-50 -30 +35

+85 -45

{;вх=10 мВ, /=€,1 МГц

и. МГц

+25

г/вх=1 мв

/Сш**. дБ

/=1,6 МГц

Сбх, пФ

-/=1 МГц

* Крутизна вольт-амперной характеристики. ** Определяется аналогично, как н для ИМС К175УВ1.



К175УВЗЛ пмеет крутнз1!у гВД мА/В. микросхема К175УВЗБ - 400 мА/В. Номинальное капряжгние пнтання микросхемы плюс 6 В. Допустимые откл01!ення напряжения питания ог номинального ±107о. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К175УВЗ приведены в табл. 4-33.

Электрические параметры микросхемы К175УВЗ прн номинальном напряжении пнтаиня приведены в табл. 4-34.

Между выводами 6 и 6 микросхемы допускается ставить пнешмий резистор J?,: сопротипленнсм 0,1 -10 кОм. Допускается работа микросхемы на нагрузку /?„200 Ом и С„10 пФ. а также па последовательный резонансный контур.

,МИКРОСХЕ,МА К224УН16

Микросхема К224УН16 представляет собой усилитель мощности низкой частоты с ио.минальпой выходной мощностью 4 Вт при нагрузке 8 Ом (рис. 4-75, о). Типовая схема включения микросхемы К224УН16 приведена на рис. 4-75, б. Номинальное напряжение питания микросхемы минус 30 В. Допустимые откюнеиия напряжения питания от номинального ±10%. Предельно допустимые ре.кимы эксплуатации микросхемы К224УМ16 приведены в табл. 4-35.

R1 5,1М

RZ ЮМ

2,2М

Вход 10-

R4 S.7M

а 0,033

R5\-

680к X. т=сг

Т1 0,033

R.6 ЮПк

R8 2к

RIO 5

200 Т2

Iriz

R9 R11 270 120

R7 ZD

R13 18

Выход -010

Общий. -о8

ИМС1 Tg

кггчун1б

г \з

50,0 500,0

-о-Оц п

Т5,1М

Е.ис.4-75. Принципиальная схема микросхемы К224УН16 (о) и типовая схема ее включения (б).





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 [40] 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0033