Вход

12 o-

Блокировка no-

Усилитель ограничитель

Частотный детектор

36 56

Bbixi ПЧ

Усилитель низкой, частоты

2б 66 10о юсдВига, щий контур

Выход НЧ -08

Регулировка иапряувная

Выход Фазосдвигаю- Выход Общий )

пи ,„.„-, ипип„п НЧ

ОвхПЧ

СЧ 0,047

ктурз

ЧН-Н!- -НИ

1.С8

Овых НЧ --С

\0,8мк1н

0 = 25

Регулировка, напряжения НЧ

t/gb,x нч

Рпс. 4-64. Функциональная схема микросхемы К174УРЗ (с) и типовая схема со включения (б).

Таблица 4-30

Параметр /пот, мА

Нормы на параметры

Режнм измерения

8, мВ

Ктц AM, дБ

их.огр, МкВ

АСвых sV дБ /?вх, кОм

/?вых, кОм

/?t2, 1.1, Ом 10п

12 13

3.9 1.5

Ч-25 -25; -t-55

-25; -L-55

-f25

+25 +25 +25 +25

t/„x=0,5 mB

8г.=50мВ,/=6,5МГц

bxam ЧМ =0,5 B, m=307o

вх=0,5 mB

/упр7 = 0,05-=-1 mA

/=15 МГц

/=10,7 МГц, Д/ = ±;50 кГц,

fm = l кГц

П П 10 3 8

Б 7 6В

Рис. 4-65. Зависимости тока потреблении микросхемы К174УРЗ от напряжения питания при различных значениях температуры окружающей среды.

5 6 7 В В10

Рис. 4-66. Зависимости входного напряжения при ограничении микросхемы К174УРЗ от нгпряжения питания при различных значениях температуры окружающей среды.

в В 3

Рис. 4-67. Зависимости выходного напряжения низкой частоты микросхемы К174УРЗ от напряжения питания при различных значениях температуры окружающей среды.

8 В -3

Рис. 4-68. Зависимости коэффициента подавления амплитудной модуляции микросхемы К174УРЗ от напряжения питания при различных значениях температуры окружающей среды.

ZOO ISO 100

Рис. 4-69. Амплитудная характеристика микросхемы К174УРЗ. ,

40 30

10 мнВ 10

10 WmkB

Рис. 4-70. Зависимость коэффициента подавления амплитудной модуляции микросхемы К174УРЗ от входного напряжения.

40 Q

Рнс. 4-72. Зависимость выходного постоянного напряжения (с вывода 10) микросхемы К174УРЗ от расстройки частоты входного сигнала.

Рис. 4-71. Зависимости выходного иапряження низкой частоты (с вывода S) и коэффициента гармоник микросхемы К174УРЗ от добротности контура L6C6 (рис. 4-66, б).

МИКРОСХЕМА К175УВ1

Микросхема К175УВ1 представляет собой широкополосный усилитель (рнс. 4-73, а). Типовая схема включения микросхемы К175УВ1 приведена па рис. 4-73, б. В зависимости от верхней граничной частоты полосы пропускания микросхема делится иа группы А и Б. Микросхема К175УВ1А имеет верхнюю граничную частоту не менее 30 МГц, микросхема К175УВ1Б - 45 МГц. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 6,3 В. Допустимые отклонения напряжения питания от номинального ±107ii. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К175УВ1 приведены в табл. 4-31.

Электрические ппрамегры микросхемы К175УВ1 при номинальном напряжении питания, Rk = \ кОм и С„=5 пФ приведены в табл. 4-32.

Нижняя граничная частота полосы пропускания определяется емкостью переходных конденсаторов Ci, С4 (рнс. 4-73, б). .Амплитудно-частотную характеристику усилителя можно корректировать, изменяя емкость кои,аенсатора С2 (рпс. 4-73, б) в пределах О-30 пФ. Допускается работа микросхемы на нагрузку /?н200 Ом и C„;ilO пФ, а так.же на последовательный резонансный контур.