Главная Промышленная автоматика.

Параметр

Нормы на параметры

t, С

Режим измерения

/пот, мА

+ 25

-25: +55

4 -40] +25

/=1 кГц

Kyv, %

±20

-25; +55

4/и.,> =12-13.2 В

/Сг. %

+ 25

..ых==2,83 В, Ряь.х=2 Вт. /=1 кГц

+ 25

/„ых=3.1 В. Р„ь.х=2.4 Вт, /=1 кГц

/н. Гц

+ 25

h, кГц

+ 25

Rbx, кОм

+ 25

/=1 кГц

Рвых.мавс, Вт

+ 25

Xr=.10%, f=l кГц

т. % 1 50

+ 25

Явих=2 Вт, /=1 кГц

МИКРОСХЕМА К174УН9

Микросхема К174УН9 представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощностью 5 Вт при нагрузке 4 Ом. Микросхема имеет защиту выхода от коротких замыканий и перегрузок (рис. 4-51, а). Типовая схема включения микросхемы К174УН9 приведена на рис. 4-51, б. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 18 В. Допустимые отклонения напряжения источника питания от номинального ±10%. Предельно допустимое напряжение питания микросхемы при отсутствии входного сигнала плюс 22 В.

В зависимости от коэффициента гармоник и полосы пропускаиия микросхемы К174УН9 делятся на группы А и Б.

Электрические параметры микросхем К174УН9А, К174УН9Б при номинальном напряжении питания и >Яи=4 Ом приведены в табл. 4-24.

Не допускается применение микросхемы без дополнительного теплоотвода.

При температуре корпуса микросхемы выще 55°С максимальная рассеиваемая мощность Рмакс рассчитывается по формуле

Рмакг. -

кр.макс~"°Р кр-кор

150-бдор 12

где виор - температура корпуса микросхемы, измеренная на тепЛоотводе микросхемы у основания корпуса; еир.макс=.150С - максимальная температура кристалла (величина условная), при которой гарантируется надежная работа микросхемы; /?кр-кор=12 град/Вт - тепловое сопротивление от кристалла к

KODIIVCV

Допускается эксплуатация микросхемы К174УН9 при напряжении питания менее 18 В. При понижении напряжении питания соответственно снижаются




Рнс. 4-51. Принципиальная схема микросхемы К174УН9 (с) и типовая схема ее включения (б).

30 26

18 14 10

Inom

10 14 78 ггв

Рис. 4-52. Зависимость тока потребления микросхемы К174УН9 от напряжения питания.

6 5 Ч-

И174УН9

6 6 10 12 14 16 18 20 В

Рнс. 4-53. Зависимости выходной мощности микросхемы К174УН9 от напряжения питания при различных значениях сопротивления нагрузки.



Параметр

Нормы на\ параметры К174уН9

А 1 Б

t. С

Режим измерекня

/iiriTi

30 1 30

-1-25

t/„x = 0

/Сг. %

-1-25

t/„b,x=0,45-r-4,5 В, Р„ых=0,а5-5.0 Вт, [=1 кГц

10 1 10

+25 1 Л,ь.х=7,0 Вт. /=1 кГц

S, мВ

50-120

50-120

1/„ых=4,5 В, /=1 кГц

U,u, мВ

1.5* j 1,5*

/?,.=>50 кОм

Р„.,.х, Вт

-1-25

Кр=\-% для группы А, Кг=2% для группы Б

7 1 -1-25 1 Лг=!0%

40 -1-25

/п, кГц

/?„х, кОм j 100

/=1 кГц

* Напряжение шумов на выходе микросхемы (не нриведеиное к входу).

ТОК, потребляемый микросхе.мой, и выходная мощность (рис. 4-52 л 4-53). Ми-ни.мальное напряжение питания плюс 5,4 В.

Микросхема К148УН9 может работать на сопротивлении нагрузки более 4 Ом, при этом уменьщается выходная мощность микросхемы (рис. 4-53). Од-


<? Вт

5 Ч 3

1 Ррас

= 4-0

Rh=8Ом

нтунз

8-52

1 Z 3 Ч 5 е 7 Вт

Рис. 4-54. .Зависимости Рис. 4-55. Зависимости мощности, рас-

к- п. д. микросхемы сеизаемой микросхемой К174УИ9, от

К174УН9 от выходной выходной мощности при различных зна-

мощ1юсти при различных чениях сопротивления нагрузки, значениях сопротивления нагрузки.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 [36] 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0033