Рис. 4-47. Принципиальная схема микросхемы К174УИ7 (а) и типовая схема ее включений (б).

А В О

Кир Ач

lI I t.J.LJ

НПЧУН1

10 Гц

Рис. 4-48. Зав;.си.угость коэффициента неравномерности амплитудно-частотной характеристики микросхемы К!74У117 от частоты входного сигна-.ча.

8 6 Ч

ктуи1

7 Z 3 Ч Вт а)

ктит

10 10

10* Гц,

Рис. 4-49. Зависимость коэффициента гармоник микросхемы К174УН7 от выходной мощности (а) и от частоты входного сигнала (б).

МИКРОСХЕМА К174УН8

Микросхема К174УН8 представляет собой усилитель мощяости низкой частоты с номинальной выходной мощностью 2 Вт ири нагрузке 4 Ом (рнс. 4-50,а). Типовая схема вкчючения микросхемы К174УН8 шриведена на рис. 4-50,6. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 12 В. Допусти.мые отклонения напряжения источника питамия от номинального cfclOVo- Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы iK!l74yH8 приведены в табл. 4-22.

Наименование и обозначение параметра

Нормы иа параметры

НапряжеКие источника питания t/n.u, В Амплитудное значение тока нагрузки /н, А Температура кристалла Гк, "С

13.2 1.09

+125

Электричрские параметры микросхемы К174УН8 при номинальном напряжении питаийя и Ru-A Ом приведены в табл. 4-23.

Применение микросхемы допускается только с теплоотводом. Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде Дпер-окр=1Э5 град/Вт, тепловое сопротивление от перехода.к корпусу Лпер-кор=60 град/Вт. Допускается включение нагрузки микросхемы относительно общего вывода в соответствии с рнс. 4-50.в.

Регулировку коэффициента усиления микросхемы на низких частотах можно осуществлять изменением емкости конденсаторов С2, С5, а во всей полосе пропускания иамеиением- глубины отрицательной обратной связи регулировкой сопротивления резистора Rl и емкости конденсатора С2 (рис. 4-50, б, е).

R2 9к

Рис. 4-50. Принципиальная схема микросхемы К174УН8 (а), типовая схема ее включения (б) и схема включения микросхемы К174УН8 с заземленной нагрузкой (в).