Главная Промышленная автоматика.


Рис. 4-47. Принципиальная схема микросхемы К174УИ7 (а) и типовая схема ее включений (б).

А В О

Кир Ач

lI I t.J.LJ

НПЧУН1

10 Гц

Рис. 4-48. Зав;.си.угость коэффициента неравномерности амплитудно-частотной характеристики микросхемы К!74У117 от частоты входного сигна-.ча.



Параметр

Нормы па параметры

t. "С

Режим измереиия

/noTt

5-20

+ 25

t/BX=0

Кг, %

1/вых=0,45 в, Рвых=-0,Об Вт, пых=3,16 В, Роых=2,5 Вт

10 12

+25; +55 +60

1/вых=4,25 В, Рвых=4,5 Вт, /=1 кГц

S. мВ

Свых=3,16 В, />вых=2,5 Вт, /=1 кГц

t/вых 0, в

2.6-5,5

10 : +60

/н, Гц

+ 25

h. кГц

Лвх, кОм

1 50

/=1 кГц

Т1. 7о

/вых=4,5 Вт, /=,1 кГц

8 6 Ч

ктуи1

7 Z 3 Ч Вт а)

ктит

10 10

10* Гц,

Рис. 4-49. Зависимость коэффициента гармоник микросхемы К174УН7 от выходной мощности (а) и от частоты входного сигнала (б).

МИКРОСХЕМА К174УН8

Микросхема К174УН8 представляет собой усилитель мощяости низкой частоты с номинальной выходной мощностью 2 Вт ири нагрузке 4 Ом (рнс. 4-50,а). Типовая схема вкчючения микросхемы К174УН8 шриведена на рис. 4-50,6. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 12 В. Допусти.мые отклонения напряжения источника питамия от номинального cfclOVo- Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы iK!l74yH8 приведены в табл. 4-22.



Наименование и обозначение параметра

Нормы иа параметры

НапряжеКие источника питания t/n.u, В Амплитудное значение тока нагрузки /н, А Температура кристалла Гк, "С

13.2 1.09

+125

Электричрские параметры микросхемы К174УН8 при номинальном напряжении питаийя и Ru-A Ом приведены в табл. 4-23.

Применение микросхемы допускается только с теплоотводом. Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде Дпер-окр=1Э5 град/Вт, тепловое сопротивление от перехода.к корпусу Лпер-кор=60 град/Вт. Допускается включение нагрузки микросхемы относительно общего вывода в соответствии с рнс. 4-50.в.

Регулировку коэффициента усиления микросхемы на низких частотах можно осуществлять изменением емкости конденсаторов С2, С5, а во всей полосе пропускания иамеиением- глубины отрицательной обратной связи регулировкой сопротивления резистора Rl и емкости конденсатора С2 (рис. 4-50, б, е).

2,5k

и,7к

Вход

R2 9к

„ С1 1,0

ИМС1

нтунв

hRi Шк

+х +

=Т=С2 =

50,0

zC3 200,0


Рис. 4-50. Принципиальная схема микросхемы К174УН8 (а), типовая схема ее включения (б) и схема включения микросхемы К174УН8 с заземленной нагрузкой (в).





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 [35] 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0034