Главная Промышленная автоматика.

MaiiMeiicuaiiiic ii обозначение параметра

Нормы па параметр!.!

Напряжение источника пргтания U„.„, В

Положительное напряжение, подаваемое иа выводы микросхемы

относительно вывода /, В Отрицательное напряжение на выводе S относительно вывода /, В

-24 0,2

Таблица 4-15

Параметр

Нормы па 1!арамстр1,

Режим измерения

/нот. мА

-Ь25

t/„.„=-i2,o В, {;„х=о

„.„=-13.2 в, t/„x=0

100-150

-1-25

/Л,.н=-12,0 В, t/„x=10 мВ, /=1 кГц

80 - 200

+25; -1-85

t/i....=-13,2 В, t/„x=10 мВ. /=1 кГц

±15*

-45; -Ь85

t/„.„=-(10,8-13,2) В, t/„,,= 10 мВ, /=1 кГц

к.; %

-f25

t/„.n=-12,0 В, С„ых=1-В, /=1 кГц

-1-85

..... =-10.8 В, tW=l В, /=1 кГц

£\,„ иВ/Гц

-Ь25 j L„.„=-12.0 В, /-=1 кГц, /?,.=0

30-50

-Ь25

....f=-12,0 В, /=1 кГц, /?,.= 100 «Ом

Сц,1х п, В

-4-fT7

--25

fA,.„=-12,0. В

/г., кГц

-f25

и„.„=-1.2,0 В

-1-85

.....=-=10,в В

Р„ых, кОм

1,6 - 2,5

-f25

t/i..,c=--12,0 В, /=1 кГц

1.5 -3,о] -1-85

С„х, пФ

-f25

.,.„=-12,0 В

-f85 1 t/„.u=-.10,8 В

* С11сктраль!1ая плотность ?1анряжс11ия шума определяется но формуле V,,,

где Ку и -коэффициент ус1!ления тракта резистивиые делители - измеряемый усилитель - избирательный усилитель, измеренный на частоте 2 кГц с превышением сигнала уровня шумов иа выходе избирательного усилителя в 5-10 раз; - уровень шума на выходе избирательного усилителя. нзмсреик.Ы!! квадратичным вольтметром в отсутствие входного сигнала; Д/щ - эффективная шумовая полоса избирательного усилителя.



12 В. Допустимые отклонения напряження источника питания от номинального ±10%. Предельно-допустимые режимы эксплуатации микросхемы К167УНЗ приведены в табл. 4-14.

Электрические параметры микросхемы К167УНЗ приведены в табл. 4-15.

МИКРОСХЕМА К174УНЗ

Микросхема К174УНЗ представляет собой предварительный усилитель низкой частоты (рис. 4-42,0). Типовая схема включения микросхемы К174УНЗ приведена иа рис. 4-42,6. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс

-59-

Вход ЮС-

ивх о-

Ч,3к

R3 8,5н

Т7 Т8

Выход

RZ 2н

R4 2к

R5 Юк

С1 10,0

CZ 330

ИМС1 10

146 БоОбратная Общий связь

R1 Ч7к

R6 Юк

ктунз

R2 1и

R5 3,3к

R4 820

10,0

R8 1и

ивь,х -о

R7 ч-ЮОк-

.06 100

Рнс. 4-42. Принципиальная схема микросхемы К174УНЗ (а) и типовая схема ее включения (б).

Таблица 4-16

Наименование и обозначение параметра

Нормы на параметры

Напряжение.источника питания t/„.n, В Минимальное сопротивление нагрузки Rn, кОм

+7 10



в в. Допустимые отклонения напряжения источника питания от номинального ±10%. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К174УИЗ приведены в табл. 4-16.

Электрические параметры микросхемы К174УНЗ при номинальном напряжении питания приведены в табл. 4-17.

Таблица 4-17

Параметр

Нормы иа параметры

"С

Режим измерения ;

/пот, мА

1/вх=0

1400 400

-25; -f55

С„х=0,1 мВ, /=1 кГц

Кг, %

- 1.2

-f25

1/вых=0.5 В. f=l кГц

и,„, мкВ

1

-f25

/?вх, кОм

/=1 кГц

МИКРОСХЕМА К174УН5

Микросхема К174УН5 представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощностью 2 Вт на нагрузке 4 Ом (рис. 4-43,о). Типовая схема включения микросхемы К174УН5 приведена иа рис. 4-43,6. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 12 В. Допустимые отклонения напряжения источника питания от номинального ±10%. Электрические параметру микросхемы К174УН5 при номинальном напряжении питания и /?,i = 4 Ом приведены в табл. 4-18.

Таблица 4-18

Параметр

Нормы на параметры

i. X

Режим измерения

/пот, мА

+25 +55; --25

1/вх = 0

80 - 120

Свх=10 мВ

&Куи, %

±20

+55; -25

/=1 кГц

Кг, %

Рвых=2 Вт, f=l кГц

Rax, кОм

Свх=1 В, f=I кГц

/н, Гц

1/вх=10 мВ

/в, кГц

Рвь.х. Вт

+25.

Кг=1.0%. f=l кГц

Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К174УН5 приведены в табл. 4-19.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 [33] 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0014