Входное сопротивление микросхемы в основном определяется значением сопротивления внешнего резистора RI (рис. 4-38,6). Значительное уменьшение сопротивления резистора RI приводит к уменьшению глубины отрицательной обратной связи и к увеличению, влияния выходного сопротивления нсточника сигнала иа устойчивость усилители.

Конденсатор СЗ (рис. 4-38.6) улучшает шу.мовые характеристики усилителя, В усилителях, где не предъявляются требования к шумовым характеристикам, наличие конденсатора СЗ необязательно. Значительное увеличение емкости конденсатора СЗ может привести к возбуждению усилителя.

Коэффициент усиления усилителя в небольших пределах можно регулировать изменением величины сопротивления резистора R2 (рис. 4-38,6) в цепи отрицательной обратной связи. При чрезмерном уменьшении сопротивления резистора R2 возрастает уровень келннейных искажений вследствие уменьшения обратной связи. С уве.чичеиием сопротивления резистора R2 уменьшаются усиление и иелниейные искажения вследствие увеличения глубины отрицательной обратной связи. Значительное уве.чиченне сопротивления резистора R2 вызывает возбуждение усилителя, что присуще усилителям с очень глубокой обратной связью. Частотная характеристика в области низких частот определяется постоянными времени цепочек R1C2, R2CJ, RC7. Для повышения устойчивости усилителя рекомендуется подключать к выводу W микросхемы конденсатор емкостью 100 мкФ (рис. 4-38,6).

МИКРОСХЕМА K157XAI

Микросхема К157ХА1 представляет собой усилитель высокой частоты с преобразователем (рис. 4-39,с). Типовая схема включения микросхемы К157ХА1 приведена на рис. 4-39,6. В зависимости от верхней граничной частоты полосы пропускания микросхемы делятся на группы А .и Б. Микросхема К157ХА1А н.меет верхнюю граничную частоту полосы пропускаиия ие менее 15 МГц, микросхема К157ХА1Б Не менее 25 МГц. Номинальное напряжение питання микросхем К1о7ХА1А, К137ХА1Б плюс 5 В. Допустимые отклонения напряження источника питания от номинального ±10%. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К157Х.А.1 приведены в табл. 4-10.

Таблица 4-10

Электрические параметры микросхем К157ХА1А, К157ХА1Б приведены в табл. 4-11.

Отношение Uc/Um не должно превышать 10. При t/c/t/ui=10 коэффициент шума определяется по формуле

Km = 201g(0,01 t/вх).

При разработке блока усилителя высокой частоты и преобразователя с использованием микросхемы К157ХА1 необходимо учитывать следующее.

Усилитель высокой частоты может быть выполнен как с резонансной, так и с нерезонансной нагруз1£ой. В последнем случае, если требуется получить оптимальные шумовые характеристики схемы, рекомендуемое значение внутреннего сопротивления источника сигнала должно находиться в пределах 500 Ом - 1 кОм.

Гетеродин для упрощения коммутации в многоднапазонных устройствах выполнен .ho схеме с отрицательным сопротивлением (рис. 4-39,6) и стабилизацией амплитуды колебаний. Эквивалентное сопротивление гетеродинного контура L3C9, приведенное к выводам 5 и микросхемы, рекомендуется выбирать в пределах 4-10 кОм. При уменьшении эквивалентного сопротивления ухудшаются условия возбуждения, а при увеличении - понижается стабильность частоты. Для стабилизации напряжения гетеродина с изменением частоты генерации расстояние между конденсаторами С5, С6 и выводами 6, 8 должно 7-52 97

быть мннимальним. Чтобы иаприженне гетеродина ие влнядо иа выход смесителя (выводы 10, /2 микросхемы), вьнюлненного по балансной схеме, и со-ответстненио на вход усилтеля нромежуточной частоты, необходимо обе половины первичной обмотки трансформатора смесителя L2 изготовить симметричными по отношению к среднему отводу. Это достигается одновременной намоткой половин первичной обмотки в два провода.

Выход ЛЧ

Вход смесителя

Рис. 4-39. Принципиальная схема микросхемы К157ХА1 (а) и типовая схема ее включения (б).

(Цепь R4, CS устанавливается при появлении паразитных колебаний и выбирается из условия H5 jl,5 кОм. где В5 8 - сопротивление паразитного контура иа его собсгвевной частоте.)

В правильно спроектированном устройстве напряжение гетеродина на выводах 10 н 12 относительно корпуса «е должно превышать 100-200 мВ во всем частотном диапазоне гетеродина.

Эквивалентное сопротивление контура смесителя (между выводами 10, 12 микросхемы) с учетом подключаемой нагрузки (обычно фильтра с входным сспротивлением 1,2 кОм) желательно выбирать около 10 кОм. Параметры ре-9S