Главная Промышленная автоматика.

Обых

Ои.,

РВь,х

... У

>

=5% = 1нГи. -

\Оир

гоо мв

В 10

Рис. 4-30. Амплитудные .\аракте- Рис. 4-31. Зависимость вы-ристики микросхемы КН8У112. ходной мощности микросхемы К148УН2 от напряження пнтаиня.

Таблица 4-7

Параметр

Нормы на параметры

/. "С

Режим измсре1И1я

/пит, мА

10 15

-f25 -25: +55

t/„x = 0

+25; +55

t/H.n=10,5 в, t/ex = 0

10-30 8-30

+25 -25; Ч-55

t/,«=50 мВ, f=.l,0 кГц

/<г. %

рвых=0,8Вт, Vbilfih, /=,ОкГц

явь.х=1,0Вт, t/Bb.x=.2,0B. f= 1,0 кГц

явх. кОм

/ = 1 кГц

/п. Гц

<увх=50 мВ

h, кГц


Тпогп

1ц.Г!

1,5 Вт

Рис. 4-32. Зависимости коэффицнеи- Рнс. 4-33. Зависимость тока та гармоник от выходной мощности потребления микросхемы прн различных значениях напряже- К148УН2 от напряжения пиния питания микросхемы К148УН2. тания.



коэффициента усиления микросхемы от величины сопротивления резистора R2 приведена на рис, 4-36. Коэффициент усиления микросхемы К148УН2 практически не изменяется в интервале рабочих температур 25, 55 "С, имея незначительную тенденцию к снижению в области отрицательных температур.

Зависимость выходной мощности микросхемы К148УН2 от сопротивления нагрузки приведена иа рис. 4-S7. Коэффициент гармоник микросхемы К148УН2 практически не изменяется в интервале рабочих чйстот 100 Гц - 20 кГц и температур 25, 55 "С, имея незначительную тенденцию к возрастанию в области отрицательных температур.


0,5 10 1у5 Вт 0,1

Рнс. 4-34. Зависимости к. п. д. микросхемы К148УН2 от выходной мощности при различных значениях напряжения питания.

Рис. 4-35. Зависимость коэффициента неравномерности амплитудно-частотной характеристики микросхемы К148УИ2 от частоты в.ходиого сигнала.


Рис. 4-36. Зависимость коэффициента усиления микросхемы К148УН2 от глубины обратной связи. (R2 - рсзнсто!» подключен к выводу 2 микросхемы, рис. 4-29, б.)

40 Ом

Рпс. 4-37. Зависимость выходной мощности микросхемы К!48УН2 от сопротивления нагрузки.

МИКРОСХЕМА К157УН1

Микросхема К157УН1 .представляет собой усилитель низкой частоты (рис. 4-38,а). Типовая схема включения микросхемы К157УН1 приведена на рис. 4-38,6. В зависимости от напряжения питания микросхемы делятся на группы



А н Б.-Микросхема К157УН1А имеет номинальное напряжение питания плюс 9 В, микросхема К157УН1Б - плюс 12 В. Допустимые отклонения напряжения источников питания от номинального ±10%. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем К!57УН1А, К157УН1Б приведены в табл. 4-8, Электрические параметры микросхем К157УН1А, К157УН1Б приведены в табл. 4-9.

Смещение


Обратная связь Ю--

СЧ 100,0

СЗ II

100,0

Рис. 4-38. Принципиальная схема микросхемы К157УН1 (а) и типовая схема ее Включения (б).

Таблица 4-8

Нормы иа

параметры

Наименование и обозначение параметра

К157УН1А

К157УН1Б

не менее

не более

не менее

ие более

Напряжение «источника питання fw.n, В

10,0

15,0

Напряжение на выводах 7 и J микро-

10.0

15,0

схемы .Uj, 1, Б

Ток через вывод 7 микросхемы Ij, мА

15.0

15.0

Мощность, отдаваемая микросхемой в

30,0

30.0

нагрузку через вывод 7, Рвыхг, мВт





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 [30] 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0047