Главная Промышленная автоматика.

МИКРОСХЕМА К123УН1

Микросхема К123УН1 представляет собой усилитель низкой частоты (рнс. 4-13,с). Типовая схема включения микросхемы К12.3УН1 приведена на рис. 4-13,6. В зависимости от коэффициента усиления и коэффициента гармони:? микросхемы делятся «а группы А, Б, В. Номинальное напряжение п."тания микросхемы плюс 6,3 В. Допустимые отклонения HHTaroniejo напряжения от номннального ±10%. Предельно допустимое напряжение питания не более плюс 7,25 В. Предельно допустимое напряжение на вхо,1е не более 0,5 В для зсех групп микросхем.

Иорренци-Я

Q1S 1г<?



Обратная связь

100,0

Рис. 4-13. Пр1П1цинпал!,а;1Я !:.\с.ча микросхемы К!23У111 (fi) и типовая cxcv-a ее включения (5), (Р2.зистор R6 имеет ио.мниальпос сопротивление 6,3 кОм для микросхем К123У1ПА,

К123УН1Б; 1,4 кОм д.1я микросхем К123УН1Б,

К123У1ИВ; 0,92 кОм для микросхемы К123У1ПВ.)

Электрические параметры микросхемы приведены в табл. 4-3.

Допускается питание микросхем К123УН1 - К123УН1В пониженным нлиря-жением до 4,0 В. Прн этом тек, потребляемый микросхемой, уменьшается пропорционально понижению напряжения питания (рис. 4-14), Остальные параметры Незначительно изменяют свою величину, что иллюстрировано на примере коэффициента усиления и выходного сопротивления на рис. 4-15, 4-16.

Основные характеристики микросхемы - а.мплитудная и частотные при различных значениях емкости корректирующего конденсатора CS прибедены на рис. 417,0-г. Частотную характеристику микросхемы можно корректировать также и другими способами. Так, при включении конденсатора между выводами 3 .и 4 микросхемы коэффициент усиления на высоких частотах возрастает (рис. 4-18), а при включении между выводами 4 и 5 падает (рис. 4-19).

Коэффициент усиления во всей полосе частот можно регулировать, меняя глубину отрицательной обратлой связи ИМС. Так, при вкл.ючении резистора 84



Параметр

Нормы на параметры К123УН1

1. -С

Режим измерении

/нот. мА

-60 +85

L„.„ = 6,9 В

300 - 500

100 - 350

30 - 500

L„„=6.3 В

f=\ кГц. L„b,x=0.5 В. /?„=0,5 кОм

+10;

+15;

и„.„ = 6,3 В± + 10%

eKyv. %

-20: -1-5

-20; +5

-20; +5

Кг. %

-60; +85

0„.„ = 5,7 В

/?„ых. кОм

6„х = 10 мВ, /=1 кГц. R„=0,5 кОм

/?„х, кОм

+25 -60

L„.„ = 6,3 В

f... Гц

!«, кГц

мА 11 11 9 7 5 О

л

Ч- 5 6 7 В 8

-I л

У"

н:1гзУН1А ц

НПЗУН1Б

KlZZyHiB

1--Г"

Рис. 4-14. Зависимость тока потребления микросхемы

К123У1-11 от напряжения ис-точннка питания.

ч 5 6 7 Б а

Рис. 4-15. ЗавнсимосТн коэффициента усиления микросхемы К123У111 от напряжения источника пнтаиня.

сопротнвлсннем 100 Ом - 15 кОм между вы-водами 3 а 4 микросхемы коэффициент усиле- пня возрастает тем больше, чем меньше значение сопротивления резистора (при резисторе величиной 100 Ом коэффициент усиления возрастает более чем в 3 раза), при включении мс- 2,0 жду выводами 4 я 5 он падает (при коротко-замкнутых выводах 4 к 5 падает более чем

Рнс. 4-16. Зависимость выходного сопротивления микросхемы К123УН1 от напряжения источника питания.

Rib.

KIZZ

у HI А,

Б. В

.... .

7 Вв



г,о и

1,В f,Z 0,8 0,4


46810 46810 Ю" г)

Рис. 4-17. Амплитудные характеристики микросхемы К123УН1 (о) и частотные характеристики микросхемы К123УН1 прн различных значениях емкости корректирующего конденсатора СЗ {б-г).

гооо

1000


Рис. 4-18. Частотные" характеристики микросхемы К123УН1 при различных значениях корректирующей емкости, включенной между выводами 3 к 4 м.чкросхе-CP.iovu""" емкости более 1000 пФ частотные характеристики мнкро-iiiiij. « К123УН1В аналогичны частотным характеристикам микросхемы ivlzo.yrHA.)





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [27] 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

0.0035