Главная Промышленная автоматика.

Таблица 4-1

Параметр

Мормы па параметры К118У1-11

t, "С

Режим измерения

А 1 Б В

Г 1 Д

/пот, мА

3,5 1 5,0

/=12 кГц, UsK-\ мВ

tKyU, %

±50

±50

±50

±50

±50

+70; -10

2.4-3,8

2,4 - 3,8

7.0-9,6

7,0-9.6

7,0 - 9,6

U,„, мкВ

4 "

/=20+20 000 Гц

f25

/=12 кГц, tBxl кВ /=12 кГц

/?,;м.<, кОм

0,8 - 3,0

0,8- 3,0

0.S -3,0

0,8-3,0

0,3-3,0

+25 +25

/=!2 кГц

При {/вых=0,3 В для группы А

К.; %

0,5 В для группы Б

0,5 В для группы В

1,0 В для группы Г

. 5

0,8 В для группы Д

и кГц

{/вх=1 мВ

fMBKr, МГц

Лу17 = 30, L/„x=l мВ

/Cju = 50, 1/„х=1 мВ



Параметр

Нормы на параметры К118УН2

f. -с

Режим измерения

/пет, мА 1 2.0

3,0 1 3.0

/=.12 кГц, ивк=1 мВ

tKyU, %

±60

±60

±60

-10,+70

Нш, кОм

пых. кОм

1.2-3,0

1,2-3,0

1,2-3.0

/макс, МГц

Куи = 5

Куи -8

/п. кГц

V„x=\ мВ

С/ш. мВ

Д/=20-20 ООО Гц

0 пых, в

2.4-3,8

3,8-5,5

3,8-5.5

Кг, %

Ьпьш=0,1 В

МИКРОСХЕМА КП8УН2

Микросхема К118УН2 представляет собой каскодный усилитель (рис. 4-7.fl). Типовая схема включения микросхемы К118УН2 приведена на рис. 4-7,6.

В зависимости от напряжения питания и коэффициента усиления микросхемы делятся иа группы. Микросхема КП8УН2А имеет номинальное напряжение- питания плюс 4,0 В, микросхемы

мА 3,0

2,5 2,0 U5 1,0

К118УН2Б, К118УН2В -плюб 6,3 В. Допустимые отклонения напряжений источников питания ±10%. Предельно допустимое напряжения пиГания для микросхемы К118УН2А не более 4,4 В, для микросхем КП8УН2Б, К118УН2В -не более 6,9 В. Предельно допустимое напряжение на входе микр.осхем КП8УН2А, КИ8УН2Б не более 0,1 В, для микросхемы К118УН2В -не брлее 0,05 В.

Электрические параметры микросхемы при номинальном напряжении питания приведены в табл. 4-2. „ „ в Допускается питание микросхем

3 Ч- 3 Б В КИ8УН2А-КП8УН2В пониженным на-г, . о о пряжением до 2,7 В. При этом электри-

Рис. 4-8. Зависимости тока потребле- „ параметры микросхем примут ния микросхемы К118УН2 от напря- „„ значение. ч1м в табл. 4-2: ток по-ження источника пнтання. треблеиня. коэффициент усиления будут

уменьшаться пропорционально уменьшению напряжения источника питания, коэффнциент гармоник будет возрастать. Зависимости тока потребления микросхем К118УН2А -К118УН2В от-напряжения источника питания приведены на рис. 4-8.

Основные характеристики микросхемы - амплитудные и амплитудно-частотные прииедены на ркс. 4-9,0,6. Зависимости коэффициента усиления мнкро-82

1ВУН,

.....

KlieUHZA

гОпп-



0,5 0,4 0,3 D.Z 0,1

Оьых

УктунгА

мВ 35

Н118Ь

\ \

Ч 6 в 10 IZmB

Рис. 4-9. Амплитудные (а) и амплитудно-частотные характеристики (б) микросхемы Ки8УН2.

80 70 60 50 40 3D

КПВ УН г в KmyHZB

If II П Я \

КПО У


12 16 кОм

ZOO 400 600 мВ

Рис. 4-10. Зависимости коэффици- Рис. 4-11. Зависимости коэффн-

ента усиления микросхемы циента гармоник микросхемы

К118УН2 от сопротивления на- К118УН2 от выходного напря-

грузки. жения микросхемы.

схем от сопротивления нагрузки приведены 50 на рис. 4-10. Зависимости коэффициента гармоник от выходного напряжения приведены на рис. 4-11..

В качестве входа микросхемы можно также использовать вывод /. При этом коэффициент усиления возрастает примерно в 3 раза, что иллюстрировано на примере on микросхемы К118УН2Б. зависимость коэффициента усиления которой от частоты приведена иа рис. 4-12.

Рис. 4-12. Зависимость коэффициента усиления микросхемы К118УН2Б от частоты при подаче входного сигнала иа вывод / микросхемы.

1вУН25

70 10 10* 10 10 Гц





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 [26] 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52

1.4249