МИКРОСХЕМА К118УН1

Микросхема К118УН1 представляет собой дчухкаскадный усилитель 1ше-тоянного тока (рис. 4-1,с). Типовая схема включения микросхемы К118УН1 приведена на рис. 4-1,6.

Фильтр JLll 110- - •-•

Вход JO-

R6 1,7х

Фильтр

R3 R5

Выход

f>9 о 10

R7\m

* 400

Фильтр -о 12

Фальт

100,0 б)

Рпс. 4-1. Принципиальная схема микросхемы К118УН1 (а) и типовая схема се включения (б).

В зависимости от напряжения питания и коэффициента усиления микросхемы делятся на группы. Микросхемы К118УН1А, К118УН1Б имеют номинальное напряжение питания плюс 6,3 В, микросхемы К118УН1В, К118УНГГ, К118УН1Д - плюс 12,6 В. Допустимые отклонения напряжений источников питания dilO/o- Предельно допустимое напряжение питания для микросхем К118УН1А, КИ8УН1Б не более 6,9 В, для микросхем К118УП1В-К118УН1Д - не более 13,9 В. Предельно допустимое напряжение на входе не более 1,2 В для всех групп микросхем.

Электрические параметры микросхемы при номинальном напряженип питания приведены в табл. 4-1.

Допускается питание микросхем К118УН1А - К118УН1Д пониженным напряжением до плюс 4,5 В, при этом такие параметры, как выходное напряжение, коэффициент усиления, ток потребления, будут уменьшаться пропорционально J I I уменьшению напряжения источника пита-

""" ния. Зависимости тока потреблспня микро-

схем К118УН1А-К118УН1Д от напряжения нсточпнка питания приведены на рис. 4-2.

Основные характеристики микросхемы- амплитудные, амплитудно-частотные н фазовая представлены на рис. 4-3, а-в.

Прп подключении к микросхеме виеш-ией нагрузки сопротивлением менее 20 к0.м коэффициент усиления микросхемы падает. J 7 д 11 В Р" уменьшении емкости конденсатора С2

коэффициент усиления микросхемы также Рис. 4-2. Зависимости тока потреб- падает. Зависимости коэффициента уснлс-ления микросхемы КИ8УН1 от ния микросхем от сопротивления нагрузки напряжения источника питания. при различных значениях емкости конденсатора С2 приведены на рис. 4-6, а-в. Включая резистор между выводами 3 н 12 микросхемы, тем самым вводим дополнительную отрицательную чобратиую связь, при этом коэффициент усиления микросхемы падает. Зависимости коэффициента усиления .микросхемы от сопротивления в цепи обратной связи приведены на рнс. 4-4.

Зависимости коэффициента гармоник от выходного напряжения приведены на рнс. 4-5.

1 Z 3 Ч 5мВ D 0,1 ) 10 W- нГц а) 6)

мВ 800 600

400 ZOO

10 ID* 1q5 пГц

Рис. 4-3. Амплитудные характеристики микросхемы К118УН1 (с), амплнтудно частотные (б) н фазовая (в) характеристики микросхемы К118УН1.

8КОМ О 0,4 0,8 1,г 1,6 2,0 В

Рнс. 4-4. Завнснмостн коэффнцп- Рис. 4-5. Зависимость коэффй

еита усиления микросхемы циента гармоник микросхемы

К118УН1 от сопротивления в це- К118УН1 от вы.\одного напря-

пи обратной связи. жения микросхемы.

1W0 1500 ПОО 1100

то о

4 8 П 16 кОм 6)

12 15 ZOkOm 6)

Рис. 4-6. Зависимости коэффициента усиления микросхемы К118УН1 от сопротивления нагрузки микросхемы.

Bxodi

ИМС1

С1 10,0

10-1-г Т1

Выход ,,

Общий. -on

Рис. 4-7. Принципиальная схема микросхемы К118УН2 (а) и типовая схема ее включения (б).