Главная Промышленная автоматика.

Таблица 3.3. Параметры проволочных резисторов с переменным сопротивлением

с Ш

СПЗ-37

СПб-IB

СП5-1В1

СП5-2

СП5-2В

СП5-2ВА

СП5-2ВБ

0,5 1

СП5-3

СП5-ЗВ

СП5-ЗВА

0,5 1

СП5-14

СП5-15

СП5-22

0,25

СП5-24

0,25

СП5-51

0,25

10-1-108 100-10 000 100-10 000 100-47 ООО 3,3-47 000 3,3-22 ООО 3,3-22 ООО 100-47 ООО 3,3-47 000 3,3-22 000 10-47 000 10-47 000 10-33 ООО 10-22 ООО 10-33 ООО 10-22 ООО 10-10 000

«= 5!

с: о

10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 5 5 5 5 5

(Я О

« п

с s: =

а: и

a, oj s

S 3 й

-•X s s

S = 5 ° g = S

<U ffi о

6,5x8,5X35

0,5-1

8,5x8,5X35

0,75-1,5

8,5X8,5X35

0,3-1 ,5

13X13X7,9

0,3-1,5

13X 13x6,4

0,3-1,5

10X10X5,4

0,3-1,5

lOX 10X6,3

0,3-1,5

13X13X5,4

0,3-1,5

13X 13x5,9

0,3-1,5

10X10X5,4

7x10,5x32

7x9,5x32,5

0,3-1,2

7x6,5x30

0,3-1,2

7x6,5x25

0,3-1,2

7X6,5X30

0,3-1,2

7X6,5X25

7x7,5x19,5

J -1

B=5000

, - ОЯ

To-ZQ°C

B-ZSOO

~ufi-V

n ft

-0,1

Puc. 3.1. Зависимость относительного сопротивления и ТКС от температуры для терморезисторов ММТ и КМТ

температурного коэффициента терморезисторы характеризуются следующими параметрами.

Номинальное сопротивление. Ом [обычно задаются при Т = = 293 К (20 °С)], и допустимое отклонение от номинального сопротивления (±10; ±20%).

Коэффициент рассеяния, Вт/°С, численно равный мощности, рассеиваемой на терморезнсторе при разности температур образца и окружающей среды 1 °С.

Коэффициент энергетической чувствительности, Вт/%, численно равный мощности, которую нужно рассеять иа терморезисторе для уменьшения его сопротивления иа 1%.


-Л? -to -га о га м еа во too

Рас. 3.2. Зависимость сопротивления позисторов и их ТКС от температуры

Коэффициенты рассеяния Я, энергетической чувствительности G и температурный коэффициент сопротивления а связаны между собой соотношением G= Я/ЮОа.

Постоянная времени х, равная времени, в течение которого температура терморезистора изменяется ка 63% от разности температур образца и окружающей среды. Она характеризует тепловую инерционность терморезистора.

Электрические параметры наиболее часто применяемых в кварцевых генераторах терморезисторов приведены в табл. 3.4.

Чтобы уменьшить изменения сопротивления терморезисторов при Эксплуатации, перед установкой в КГ их выдерживают при повышенной температуре. Так как изменение сопротивления терморезисторов во времени носит экспоненциальный характер, то после выдержки их при повышенной температуре в течение 2-3 месяцев изменение сопротивления за последующие 6 месяцев уменьшается более чем в 2 раза (72].

Позисторы. В настои1цее время в ТСКГ все более широко применяются позисторы, у которых сопротивление увеличивается при увеличении температуры.

Позисторы выполняются иа основе титано-бариевой керамики с добавлением примесей лантаиа или церия. Такой материал обладает аномальной температурной зависимостью сопротивления - в узком те.мпературном интервале сопротивление позистора увеличивается на несколько порядков. Зависимость сопротивления позисторов и их температурного коэффициента от температуры показана на рис. 3.2.



о S а

с °

я л iI. *

8 « ё Ё

m ж

00 CM CJ CM CM

+ +++ +

•I- -I- -I- -I- -I-

О О О О о

CD CD CD О) CD

I I I I I

Ю lo in ira in

00 00 00 CO CO

CO coco •--"о"

co o

Ю iC Ю "h"

ooic CO c*i

I I I

C*J -3* Ю TJ«

ООО ООО СЧ 00 Tf со

о о CD tD о 00 CO СЧ СЧ

- CJ CM 00

III..

CO 00

CM to to o

ю »Ь ю о сч ю о

++++

о о о о (О со со (О

со со

о со in in - - о о"

о о о in оо" t h-"

«•ем ем CM

см" •*" Tj<" *"

о о о о о о о о 00 сч о о со со

о о о о со о о о о со со со сч со со со

-о ем см

Ф - СМ СМ

I I 1

- - со 00 о ,-,-со -

tbcoco

ш СП см

in in о in о in Й см см о см о см см

- - со - со -.

.. .. .. .. -1.

о о о о о о я

<0 со со О) со СП 2

со сое

< со со

о"

й й "5 С -- со о о .- .- о

о о сГ о" о" о" о"

00 00

-. см - со in о

о" -Г о" о" о" о" сС

» * in см см о -I * in г-

"1Л"чГО .(vj*

00 ем in со сосо?1см"!Й<

ООО ООО

со со о

со со 05

I I i

со ю ю см о со см

о о о о см о ю о ю см 00 см со со со

о о о о ic со о о

см см О) со

см сч см

--So«.Stn".

о со см ~ 00

.. -gj мм

ю 7 00 00 О) ю <м-\1 "=-со"см-

T-oooocnmin к f - - ~ - --см

к sco - оэ~сосо

Основные электрические параметры некоторых типов позисто* ров приведены в табл. 3.5.

Таблица 3.5. Параметры позисторов

*5 Л

S -о

5 <u я

5i&

» as

Дисковые

СТ6-1Б

I80±20 %.

70-100

-60-7-+125

270 ±20 %

СТ6-2Б

lO-100

70-95

-604-+125

СТ6-ЗБ

1000-10000

60-90

0,25

-60-

hl25

СТ6-4Б

100-400

70-100

-60-7-H

1-125

СТ6-4Г

5000-25000

10-70

-60-=-+ 125

CTII-ir

100-300

10-70 .

-60-7-+125

Пластинчатые

СТ6-5Б I 3-20 I 70-100

Трубчатые

СТбгбБ I 5-25 I 70-100 Стержневые

CTlO-1 3000-100000 10-70 I

2-4 I -

I - I

180 50

-60-4-+125

-60-J- + 125 -60-+125

3.2. Конденсаторы, катушки индуктивности

Коидеисаторы постоянной емкости используются в цепях обратной связи КГ, управления частотой, фильтрации, а также в качестве разделительных.

В тех случаях, когда емкость конденсаторов может повлиять на рабочую частоту КГ, необходимо предъявлять требования высокой ее стабильности при воздействии дестабилизирующих факторов. В первую очередь это относится к конденсаторам, применяемым в цепях управления частотой. Применяемые к КГ конденсаторы имеют температурные коэффициенты емкости (ТКЕ), различающиеся как по величине, так и по знаку. Это позволяет использовать нх для компенсации температурной нестабильности частоты КГ.

Серийно выпускаемые конденсаторы имеют ТКЕ от 33 • I0- (ПЗЗ) до -1500 • 10-» (М1500), кроме того, выпускаются конденсаторы с ненормированным ТКЕ (ИЗО, Н50, Н90). Параметры конденсаторов, широко применяемых в современных КГ, приведены в табл. 3.6.



Таблица 3.6. Параметры Конденсаторов ,

Таблица 3.7. Параметры катушек индуктивности

.Номинальное напряжение. В

Днапззои иомннлльмых емкостсЛ, пф

Группа по ТКЕ

Копденсаторы КМ

35 50

70 100 160 250

120-10-0

22 000-680 ООО 120-150 ООО

1500-68 ООО 16-68 000 16-47 000 16-22 ООО

ПЗЗ, М47, М75, М750, Ml500, Н50, Н90 Н90

ПЗЗ, М47, М75, М750,

Ml 500, Н50, Н90

ПЗЗ, М47, М75, Ml 500, ИЗО ПЗЗ, iyj47, М75, Ml500, ИЗО ПЗЗ, М47, М75, Ml500, ИЗО

Конденсаторы К10-23

2,2-33 ООО

ПЗЗ, М47, М750, М1500, ИЗО

Конденсаторы K10-I7

2,2-330 ООО

ПЗЗ, М47, ?Л75, М750, Ml500, Н50, Н90

Наиболее распространенные конденсаторы КМ исполняются в трех вариантах: с разнопаправлепиымп выводами неизолированные, с однонаправленными выводами неизолированные и изолированные и незащищенные конденсаторы без проволочных выводов.

Высокие удельные характеристики имеют конденсаторы К10-17. Разработаны три варианта этих конденсаторов: К10-17а - для внешних цепей микросхем, К10-176- универсального приме-иепия, К10-17В - для применения в микросхемах, мнкромодулях, имеющие серебряные или луженые контактные площадкп, посредством которых оии подключаются в аппаратуру. Долговечность работы конденсаторов 10 ООО ч; интервал рабочих температур от 60 °С до 85 °С (125 °С); габаритные размеры в зависимости от значения емкости, ТКЕ: минимальные 5X4, 5X3 мм, максимальные 13 X 12, 5 X 3,3 мм для конденсаторов КМ, 9 X 4,5 X 6,5 для К10-23 и от 6,6 X 4,5 X 5,5 мм до 9,0 X 6,0 X 7,5 для К10-17.

Катушки ийдуктивности. Во многих случаях в КГ для обеспечения точной настройки частоты иэ номинальное значение включается перестраиваемый реактивный элемент, в качестве которого может использоваться перестраиваемая катушка индуктивности. Применение в катушках сердечников из ферромагнитных материалов позволяет обеспечить необходимые пределы перестройки при малых габаритах, высокой стабильности и малом температурном коэффициенте иидуктивиости.

Параметры катушек индуктивности с использованием сердечников различной конструкции из карбонильного железа марки Р-100 представлены в табл. 3.7 {28].

Индуктнп-ность, мкГи

Сердечник

Диапазон частот, МГц

Добротность

тк, 10-.1/°С

Размеры, мм

0.2-1000

СБ-9

0,2-70

45-140

±60

15X15X25

0.6-1100

0,2-60

40-100

30 ±50

9X9X13

0,04-3.0

20-150

60-120

10X10X13

0,05-5

10-200

60-150

3.2x2,6X7.6

0.13-10

10-150

100-170

-14±80

5X4X10

Конструктивно катушки индуктивности с сердечниками СБ-9, СМБ и МЗ (индуктивность 0.04-3,0 мкГн) были выполнены герметизированными, а с сердечниками М2 и МЗ (индуктивность 0.13- 10 мкГн) - без экрана.

3.3. Полупроводниковые приборы, микросхемы

Полупроводниковые Диоды широко используют для детектирования сигнала высокой частоты в схемах АРА. для переключения цепей высокой частоты, в цепях формирования термозависимого напряжения в ТККГ и пр.

Если диоды применяют в качестве электронных ключей, оии должны обладать малым сопротивлением в прямом иаправлеинн при токе 1-5 мА и малой емкостью при обратном напряжении 5-10 В, иметь малую зависимость па-раметров от температуры и других дестабилизирующих факторов. Для успешного выполнения своих функций в схемах формирования термозависимого иапряжеипя диод должен обладать резкой зависимостью сопротиилепия от напряжения при переходе напряжения через ноль, так как его сопротивление постоянному току оказывает влияние на частоту ТККГ через управляющий элемент цепи термокомпепсации.

Параметры некоторых диодов, применяемых в КГ. приведены в табл. 3.8.

Значения емкости диодов при соответствующем обратном пзпря-жеини следующие.

Днсд

Обратное напряжение, В

Емкость, пФ

Диод

Обратное напряжение. В

Емкость. пФ

КД401А

1,0 2.0

КД512А

КД409А

КД514А

Г Д507 А

КД519А

ГД508А

0.75

КД519Б

ГД508Б

0.75

КД522А

КД503А

К Д522 Б

КД503Б





0 1 2 [3] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38

0.0035