Главная Промышленная автоматика.

Обозначение

Туннельный диод

Обращенный диод

Стабилитрон:

односторонний двусторонний

Варикап

Примеры построения обозначений тиристоров

Тиристор Диодный (динистор) Тнрнстор диодный симметричный

Тнрнстор триодный незапираемый с управлением по аноду (тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа)

Тиристор триодный незапираемый с управлением по катоду (тиристор с инжектирующим управляющим электродом п-типв)

Тиристор триодный запираемый с управлением по аноду Тиристор триодный запираемый с управлением по катоду

Тиристор триодный симметричный незапираемый

Примечание. Для упрощения допускается выголнять условные графические обозначения тиристоров в зеркальном изображеяни

или -Щ-

или -Ц

Примеры построения обозначений транзисторов с р-п переходами Транзистор типа р-п-р



ОСоэнеченне

Транзистор типа п-р-п с коллектором, электрически соединенным с корпусом

Лавинный транзистор типа п-р-п Одноперсходной транзистор с п-базой

Однопереходной транзистор с р-базой

Транзистор типа р-п-р с двумя базовыми выводами

Многоэммитерный транзистор лша п-р-п

Примечание. Для упрощения допускается:

в) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например

б) не изображать корпус, если смысл обозначения не Меняется и корпус ие используется для электрического подключения

Примеры построения обозначений полевых транзисторов

Полевой транзистор с каналом р-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором: обогащенного типа с р-каналом обогащенного типа с п-каналом

обедненного типа с р-каналом обедненного типа с л-каналом

Полевой

транзистор с каналом п-типа



Наименование

Обозначеяие

Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом с выводом от подложки

Палевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с п-каналом и с внутренним соединением под.чожки и истока

Папевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с п-каналом и с выводом ог подложки

Примечание. Изображение окружности для полевых траНг. знсторов ивляется обязательным

Примеры построения обозначений фоточуествительных излучающих и оптозлектронных полупроводниковых приборов

Фоторезистор Фотодиод

Фототпристор диодный Фототранзистор типа р-п-р

Светоизлучающий диод (J?=5 нли 6 мм)

Диодная оптопара Тиристорная оптопара Резисторная оптопара

примеры обозначения типовых схем на полупроводниковых приборах

Однофазная мостовая выпрямительная схема:

ЛИ





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 [88] 89 90 91 92 93 94

0.0035