1. * Размеры для оправок Z.*Размерь/ и шероховатость поверхностей

после покрытия J. Размер Б после покрытия 0,35max *. Неуказанные предельные отклонения размеров: охватывающих - по НП охдатываемых -по h14 прочих - SBl 5. Покрытие 0,Б-3, Н2-3. Допускается покрытие Гор П0С-В1

ДБВГХХХХХТ. 011

Пластина

Латунь /183 таВ,ЗТ-НГ0С122т-7В

Масса

В,22г

5--1

т [Листдв!

Рис. 8.19. Способы креплеиия компонентов гибридной микросхемы н присоединения их выводов

t * Размеры вля справок. Z. Расположение концов пластины Z в превелик контактных ллощавок не регламентируется. Допускается смеш,ение выводов транзисторов относительно их контактных площадок на 1/3 диаметров Выводов. Паять naC-SI Г0СТП99-70. Пайка транзисторов 3 должна дыдержидать нагрузку Шг д плоскости платы, вдозначение контактных площадок а злемЕнтов показано условно. На главном виде пластина Z условно заштрихована. Вариант установки транзисторов

иосгч.го.пю.пиз.

!>,Ках

5; Рис. 8.20. Сборочный чертеж платы толстопленочной гибридной микросхемы

/. Опрессовать микросхему пресс-матерштсм поз.г согласно ПСТ... Z. Вбрубку пластины элемента произвести после опресспвни микросхемы

3. * Размеры и шероховатость поверхностей вля справок

f Смеиение осей вывовоВ от номинального расположения

не более В,1мм (допуск зависимый.) , 5. На плоскостях Б и В после обрубки пластины элемента

допускаются выступающие концы от перемычек не более 0,2мм

8. Неуказанные предельные отклонения размеров) ахвать/батщих па H1Z, охватываемых по H1Z, прочих- у

7. Радиусы округлений спрессованных поверхностей

микросхемы - 0,5мм max " rio

в. Шероховатость спрессованных поверхностей микросхемы

9. Маркировать товарный знак предприятия методом прсссовачия. Допускается нанесение товарного знака предприятия эмалью ЗП-572 ТУБ -Ю-15 3S -76TZ

ID. Маркировать номер сопроводительного листа, порядковый

номер микросхемы. Шрисрт Z по НО. В10. BD7 11. Нанести клеймо ВТК или представителя заказчика 1Z. Маркировать условное обозначение макросхемы. Шридзт Z

по ло. 010. 007

13 Маркировать год и месяц изготовления микросхемы. Шритт 1 па НО. от. 007

14. Маркирование и клеймение по п. 10,11,1Z и 13 произвести эмалью sn - 572 ГУБ -IB- 1535 - 78 Т2

Нзм. Лист

Разраб.

Лрвв.

Гконтр.

н.контр.

/Л>дОК1М.

Подп.

АБВГ1ХХгХТ.016.СБ

Микросхема KZZfTd

Сборочный чертеж

Лит. \Macca \Mactum

Лист 1 \ листов 1

Рис. 8.21. Сборочный чертеж толстопленочной гибридной микросхемы